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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 1210N150J202CT

1210N150J202CT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 14:52:43 查看 閱讀�9

1210N150J202CT 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體� (HEMT),適用于高頻和高功率�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)� GaN 技�(shù),具有出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率和功率密��
  這款晶體管廣泛應(yīng)用于電信基礎(chǔ)�(shè)�、工�(yè)電源�(zhuǎn)換以及可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域,其緊湊的�(shè)�(jì)和高效性能使其成為傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的理想替代品�

參數(shù)

型號�1210N150J202CT
  類型:GaN HEMT
  漏源電壓(Vds)�150V
  連續(xù)漏極電流(Id)�12A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�16mΩ
  柵極電荷(Qg)�80nC
  開關(guān)頻率:最高支� MHz 級別
  封裝形式:TO-247 或表面貼裝(具體需參考數(shù)�(jù)手冊�

特�

1210N150J202CT 擁有非常低的�(dǎo)通電阻和極快的開�(guān)速度,這使得它在高頻工作條件下依然能保持高效率�
  該器件還具備良好的熱性能和抗電磁干擾能力,適合于對可靠性和�(wěn)定性要求較高的�(yīng)用場��
  此外,由� GaN 材料本身的特��1210N150J202CT 可以在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)行,�(jìn)一步拓寬了其使用范��
  典型�(yōu)�(diǎn)包括�
  - 高效的功率轉(zhuǎn)�
  - 減少散熱�(shè)�(jì)需�
  - 支持高頻操作
  - 低寄生電�
  - 快速瞬�(tài)響應(yīng)

�(yīng)�

該晶體管主要�(yīng)用于需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  - �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源模�
  - 太陽能逆變�
  - 電動(dòng)車充電設(shè)�
  - 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  - 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 通信基站中的射頻放大�
  1210N150J202CT 的卓越性能使其成為這些高要求應(yīng)用的理想選擇�

替代型號

1208N150J202CT, 1212N150J202CT

1210n150j202ct推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

1210n150j202ct參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�3,000 : �0.66917卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容15 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定2000V�2kV�
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�高電�
  • 等級-
  • �(yīng)�SMPS 過濾�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.041"�1.05mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-