1210N150J202CT 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體� (HEMT),適用于高頻和高功率�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)� GaN 技�(shù),具有出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率和功率密��
這款晶體管廣泛應(yīng)用于電信基礎(chǔ)�(shè)�、工�(yè)電源�(zhuǎn)換以及可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域,其緊湊的�(shè)�(jì)和高效性能使其成為傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的理想替代品�
型號�1210N150J202CT
類型:GaN HEMT
漏源電壓(Vds)�150V
連續(xù)漏極電流(Id)�12A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�16mΩ
柵極電荷(Qg)�80nC
開關(guān)頻率:最高支� MHz 級別
封裝形式:TO-247 或表面貼裝(具體需參考數(shù)�(jù)手冊�
1210N150J202CT 擁有非常低的�(dǎo)通電阻和極快的開�(guān)速度,這使得它在高頻工作條件下依然能保持高效率�
該器件還具備良好的熱性能和抗電磁干擾能力,適合于對可靠性和�(wěn)定性要求較高的�(yīng)用場��
此外,由� GaN 材料本身的特��1210N150J202CT 可以在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)行,�(jìn)一步拓寬了其使用范��
典型�(yōu)�(diǎn)包括�
- 高效的功率轉(zhuǎn)�
- 減少散熱�(shè)�(jì)需�
- 支持高頻操作
- 低寄生電�
- 快速瞬�(tài)響應(yīng)
該晶體管主要�(yīng)用于需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
- �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源模�
- 太陽能逆變�
- 電動(dòng)車充電設(shè)�
- 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
- 通信基站中的射頻放大�
1210N150J202CT 的卓越性能使其成為這些高要求應(yīng)用的理想選擇�
1208N150J202CT, 1212N150J202CT