IAUC120N04S6N009 是一款基于氮化硅(Si3N4)技術的高性能 MOSFET 芯片,主要應用于高頻開關電路和功率轉換領域。該器件采用先進的溝槽式結構設�,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能。其封裝形式為標� TO-247 � D2PAK,具體取決于制造商的工藝優(yōu)��
額定電壓�400V
額定電流�120A
導通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�55nC
反向恢復時間�12ns
工作溫度范圍�-55� � 175�
IAUC120N04S6N009 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,確保在高電流應用中減少功耗�
2. 高速開關性能,適用于高頻功率變換器�
3. 先進的氮化硅技術顯著提高了芯片的耐熱性和可靠��
4. 內置過溫保護功能,增強系�(tǒng)安全��
5. 支持硬開關和軟開關拓�,靈活性強�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設計�
IAUC120N04S6N009 廣泛應用于以下領域:
1. 太陽能逆變器中� DC-AC 功率轉換�
2. 電動車驅動系�(tǒng)的電機控制器�
3. 工業(yè)級高頻開關電� (SMPS)�
4. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
5. 各類大功� LED 驅動電路�
6. 電力電子設備中的功率因數(shù)校正 (PFC) 模塊�
IAUC100N04S6N008, IAUC150N04S6N010