時間：2025/5/30 12:00:53
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12065A200GA12A 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等場景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能，能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
這款器件屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，適用于需要高效能和高可靠性的電子設(shè)備中。
型號：12065A200GA12A
類型：N 溝道 MOSFET
封裝：TO-252 (DPAK)
最大漏源電壓（Vds）：200 V
最大柵源電壓（Vgs）：±20 V
最大連續(xù)漏電流（Id）：12 A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：0.18 Ω（典型值，Vgs=10V時）
功耗：30 W
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
柵極電荷（Qg）：25 nC
反向恢復(fù)時間（trr）：45 ns
12065A200GA12A 具有以下特點(diǎn)：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，可有效降低功率損耗。
2. 高開關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)，能夠在極端溫度范圍內(nèi)正常運(yùn)行。
4. 提供出色的電氣特性和保護(hù)功能，確保系統(tǒng)長期穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 封裝形式緊湊，易于集成到各種電路設(shè)計(jì)中。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。
12065A200GA12A 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換。
2. 電機(jī)驅(qū)動器中的控制與保護(hù)。
3. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。
5. 電動汽車及混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)。
6. LED 驅(qū)動器和其他高效能電子設(shè)備中。
12065A200GA12B, IRFZ44N, FDP5570
