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WNM2030-3/TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/27 14:29:39 查看 閱讀�57

WNM2030-3/TR 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效能功率晶體�,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該型號(hào)屬于 Wolfspeed 公司推出� GaN 系列�(chǎn)�,采用增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET) 技�(shù),能夠提供出色的�(kāi)�(guān)速度和低�(dǎo)通電阻性能。其封裝形式� SOT-227B,適合高功率密度�(shè)�(jì)�
  這款器件在射頻放大器、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電源管理�(lǐng)域有著廣泛應(yīng)�,同�(shí)得益� GaN 的材料特�,能夠在高頻和高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�3A
  �(dǎo)通電阻:140mΩ
  柵極電荷�28nC
  �(kāi)�(guān)頻率:超�(guò)10MHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

WNM2030-3/TR 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻與快速的�(kāi)�(guān)能力,這使得它非常適合需要高效能和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)�。此外,由于使用了氮化鎵技�(shù),該器件還具有更高的熱穩(wěn)定性及更小的寄生電�,從而減少開(kāi)�(guān)損耗并提升整體系統(tǒng)效率�
  另外,此晶體管具備短路保�(hù)功能,在異常條件下可以有效防止器件損�。這些�(yōu)�(shì)使其成為�(xiàn)代電力電子設(shè)備的理想選擇,尤其是在體積受限且要求高性能輸出的設(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器:利用其快速開(kāi)�(guān)特性和低導(dǎo)通電阻來(lái)提高�(zhuǎn)換效��
  2. 射頻功率放大器:憑借其高頻性能,在通信基站或雷�(dá)系統(tǒng)中發(fā)揮重要作��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器:用于工業(yè)自動(dòng)化中的高速電�(jī)控制,實(shí)�(xiàn)精確的速度�(diào)節(jié)�
  4. 充電器與適配器:適用于消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充解決方案,降低�(fā)熱并加快充電速度�

替代型號(hào)

Cree WNM2030-3/PTR, Infineon IPW203N060C7

wnm2030-3/tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)