102S41N681KV4E 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應用于開關電源、電機驅(qū)動和逆變器等領域。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠在高頻工作條件下提供高效的性能�
該芯片屬� N 溝道增強� MOSFET,適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景。其封裝形式通常為表面貼裝類型,便于自動化生�(chǎn)和散熱管��
最大漏源電壓:680V
連續(xù)漏極電流�10A
導通電阻:0.4Ω
柵極電荷�50nC
開關頻率:高� 100kHz
工作溫度范圍�-55� � +150�
102S41N681KV4E 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:能夠承受高� 680V 的漏源電�,適合高壓應用環(huán)��
2. 低導通電阻:在典型工作條件下,導通電阻僅� 0.4Ω,有助于降低功��
3. 快速開關性能:具備較低的柵極電荷和輸出電�,支持高頻操�,減少開關損��
4. 寬工作溫度范圍:能夠在極端溫度環(huán)境下�(wěn)定工�,適應工�(yè)級和汽車級應用場景�
5. 小型化封裝:采用緊湊的表面貼裝封裝設�,簡化了 PCB 布局并提高了生產(chǎn)效率�
102S41N681KV4E 廣泛應用于多種領域:
1. 開關電源:包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開關管�
2. 電機�(qū)動:用于無刷直流電機(BLDC)和其他類型電機的驅(qū)動電��
3. 逆變器:光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的關鍵元件�
4. 電動工具:提供高效功率輸出以滿足高性能電動工具的需求�
5. 汽車電子:應用于車載充電�、電子助力轉(zhuǎn)向系�(tǒng)等汽車相關設備中�
IRF7414
STP10NK60Z
FDP15N60C