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LBZT52C18T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 20:03:31 查看 閱讀�20

LBZT52C18T1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用設(shè)�(jì)。它采用表面貼裝封裝形式,具有卓越的�(kāi)�(guān)性能和低�(dǎo)通電�,適用于多種電源管理�(chǎng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、LED �(qū)�(dòng)器以及高頻逆變器等。該器件通過(guò)�(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)顯著降低了開(kāi)�(guān)損�,同�(shí)提高了整體系�(tǒng)的效��

參數(shù)

型號(hào):LBZT52C18T1G
  類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
  最大漏源電壓(Vds):650 V
  連續(xù)漏極電流(Id):18 A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):18 mΩ
  柵極電荷(Qg):70 nC
  總電容(Ciss):2530 pF
  工作溫度范圍(Tj):-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-247-4L

特�

LBZT52C18T1G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(18 mΩ),可有效減少傳�(dǎo)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,能夠支持高�(dá) 2 MHz 的開(kāi)�(guān)頻率�
  3. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件在�(shí)際應(yīng)用中的可靠��
  4. 支持高效率軟�(kāi)�(guān)�?fù)洌?LLC 和相移全��
  5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),可在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)��
  6. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,適合大功率密度的應(yīng)用場(chǎng)��
  這些特性使� LBZT52C18T1G 成為�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)中理想的功率�(kāi)�(guān)選擇�

�(yīng)�

LBZT52C18T1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)�(jí) DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是需要高效率和高功率密度的設(shè)�(jì)�
  2. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源模�,提供更高效的電源轉(zhuǎn)換解決方案�
  3. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng),用于提高能量轉(zhuǎn)換效��
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器,支持更高功率輸出的同時(shí)保持緊湊�(shè)�(jì)�
  5. LED �(qū)�(dòng)器和汽車電子系統(tǒng),滿足不同負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行需��
  其高頻特性和低損耗使其成為眾多高性能電源�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

BZT52C18T1G, LZT52C18T1G

lbzt52c18t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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