其優(yōu)點(diǎn)就是使得當(dāng)BJT進(jìn)入飽和狀態(tài)時(shí)，其集電結(jié)電壓Vbc被箝位在SBD的導(dǎo)通電壓（≈0.45V）上，從而避免了BJT進(jìn)入深飽和狀態(tài)，減小了超量少子存儲電荷，則可減短BJT開關(guān)過程中的存儲時(shí)間（可縮短1個(gè)數(shù)量級），導(dǎo)致集成電路中的信號傳輸延遲時(shí)間大大減短（延遲時(shí)間可降低到2~4ns，延遲時(shí)間與功耗的乘積大約可降低一半），結(jié)果可提高集成電路的工作速度。SCT是制作高速數(shù)字集成電路的基本器件。

在傳輸延遲時(shí)間與功耗的乘積一定時(shí)，采用SCT可設(shè)計(jì)兩種TTL電路：a）保持功耗不變，使傳輸延遲時(shí)間減短——高速TTL（STTL）；b）保持傳輸延遲時(shí)間不變，使功耗降低——中速低功耗TTL（LSTTL）。

① SBD的接入使得BJT的飽和壓降升高；② 使得BJT的反向漏電流增大；③ 使工藝要求提高（對于Si的表面處理和金屬化工藝要求很高，而且重復(fù)性和可靠 性較差）等。