大功率晶體管一般被稱為功率器件,屬于電力電子技�(shù)(功率電子技�(shù))領(lǐng)域研究范�。其�(shí)�(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過(guò)功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸�� 一般說(shuō)�(lái),功率器件通常工作于高電壓、大電流的條件下,普遍具備耐壓高、工作電流大、自身耗散功率大等特點(diǎn),因此在使用�(shí)與一般小功率器件存在一定差��
功率器件從整體上可以分為不可控器�、半可控器件和全可控器件�
1、不可控器件
指導(dǎo)通和�(guān)斷無(wú)法通過(guò)控制信號(hào)�(jìn)行控制,完全由其在電路中所承受的電�、電壓情況決�,屬于自然導(dǎo)通和自然�(guān)�。包括功率二極管�
2、半可控器件
指能用控制信�(hào)控制其導(dǎo)通,但不能控制其�(guān)�,其�(guān)斷只能由其在主電路中承受的電壓、電流情況決�,屬于自然關(guān)�。包括晶閘管(SCR)和由其派生出來(lái)的雙向晶閘管(TRIAC��
3、全可控器件
指能使用控制信號(hào)控制其導(dǎo)通和�(guān)斷的器件,包括功率三極管(GTR�、功率場(chǎng)效應(yīng)管(功率MOSFET)、可�(guān)斷晶閘管(GTO�、絕緣柵雙極三極管(IGBT�、MOS控制晶閘管(MCT�、靜電感�(yīng)晶體管(SIT)、靜電感�(yīng)晶閘管(�(chǎng)控晶閘管,SITH)和集成門極換流晶閘管(IGCT)等�
全可控器件從控制形式上還可以分為電流控制型和電壓控制型兩大類�
屬于電流控制型的有:GTR(功率三極管�、SCR(可控晶閘管�、TRIAC(可控雙向晶閘管)、GTO(可�(guān)斷晶體管)等�
屬于電壓控制型的有:功率MOSFET、IGBT、MCT和SIT
1、選型考慮原則
適用性(是否滿足技�(shù)要求�、經(jīng)�(jì)性(性價(jià)比)�
2、工作頻率比�
SIT>MOSFET�3-10MHz�>IGBT�50KHz�>SITH>GTR�30KHz�>MCT>GTO
3、功率容量比�
GTO�6000V/6000A�>SITH>MCT>IGBT�2500V/1000A�>GTR�1800V/400A�>SIT>功率MOSFET�1000V/100A�
4、通態(tài)電阻比較
功率MOSFET>SIT>SITH>GTO>IGBT>GTR>MCT
5、控制難易程度比�
電壓控制型控制較電流控制型更容易控制,但其中的SIT屬于常開型器�,控制難度大于功率MOSFET和IGBT�
用于控制功率輸出,高頻大功率晶體管的�(yīng)用電子設(shè)備的掃描電路�,如彩�,顯示�,示波�,大型游戲�(jī)的水平掃描電�,視放電路,�(fā)射機(jī)的功率放大器,如對(duì)講機(jī),手機(jī)的射頻輸出電�,高頻振蕩電路和高速電子開�(guān)電路��
大功率管由于�(fā)熱量大所以必須安裝在金屬散熱器上,且金屬散熱器的面積要足夠大,否則達(dá)不到技�(shù)文檔�(guī)定的技�(shù)性能�
維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��
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