日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

光刻�
閱讀�33870時間�2011-09-22 15:22:49

  光刻膠是指一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾校┑母叻肿泳酆衔锊牧?;又叫抗蝕劑,也叫光阻劑,英文名稱為resist。主要應(yīng)用于集成電路(IC),封裝(Packaging�,微�(jī)電系�(tǒng)�MEMS�,光電子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics),平板顯示�LED,LCD,OLED�,太陽能光伏(Solar PV)等�(lǐng)域�

概述

  光刻膠也稱為光致抗蝕�,是一種光敏材�,它受到光照后特性會�(fā)生改�。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形�(zhuǎn)移到晶圓片上�

  光刻膠有正膠和負(fù)膠之�。正膠經(jīng)過曝光后,受到光照的部分變得容易溶解,經(jīng)過顯影后被溶�,只留下未受光照的部分形成圖形;而負(fù)膠卻恰恰相反,經(jīng)過曝光后,受到光照的部分會變得不易溶解,�(jīng)過顯影后,留下光照部分形成圖��

  �(fù)膠在光刻工藝上應(yīng)用最�,其工藝成本�、產(chǎn)量高,但由于它吸收顯影液后會膨脹,導(dǎo)致其分辨率(即光刻工藝中所能形成最小圖形)不如正膠,因此對于亞微米甚至更小尺寸的加工技�(shù),主要使用正膠作為光刻膠�

分類

  基于感光樹脂的化�(xué)�(jié)�(gòu),光刻膠可以分為三種類型�

 ?、俟饩酆�?,采用烯類單�,在光作用下生成自由基,自由基再�(jìn)一步引�(fā)單體聚合,生成聚合物,具有形成正像的特點�

  ②光分解�,采用含有疊氮醌類化合物的材�,經(jīng)光照后,會發(fā)生光分解反應(yīng),由油溶性變?yōu)樗�?,可以制成正性膠�

 ?、酃饨宦?lián)�,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開,并使鏈與鏈之間�(fā)生交�(lián),形成一種不溶性的�(wǎng)狀�(jié)�(gòu),而起到抗蝕作�,這是一種典型的�(fù)性光刻膠�

生產(chǎn)步驟

  1、準(zhǔn)備基�(zhì)�在涂布光阻劑之前,硅片一般要�(jìn)行處理,需要經(jīng)過脫水烘培蒸�(fā)掉硅片表面的水分,并涂上用來增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物(目前應(yīng)用的比較多的是六甲基乙硅氮烷(hexa-methyl-disilazane,簡稱HMDS)以及三甲基甲硅烷基二乙胺(tri-methyl-silyl-diethyl-amime,簡稱TMSDEA))�

  2、涂布光阻劑(photo resist):將硅片放在一個平整的金屬托盤上,托盤�(nèi)有小孔與真空管相�,硅片就被吸在托盤上,這樣硅片就可以與托盤一起旋�(zhuǎn)。涂膠工藝一般分為三個步驟:1.將光刻膠溶液噴灑倒硅片表��2.加速旋�(zhuǎn)托盤(硅片),直到達(dá)到所需的旋�(zhuǎn)速度�3.�(dá)到所需的旋�(zhuǎn)速度之后,保持一定時間的旋轉(zhuǎn)。由于硅片表面的光刻膠是借旋�(zhuǎn)時的離心力作用向著硅片外圍移�,故涂膠也可稱做甩膠。經(jīng)過甩膠之后,留在硅片表面的光刻膠不足原有�1��

  3、軟烘干�也稱前烘。在液態(tài)的光刻膠�,溶劑成分占65%-85�,甩膠之后雖然液�(tài)的光刻膠已經(jīng)成為固態(tài)的薄�,但仍有10%-30%的溶劑,容易玷污灰�。通過在較高溫度下�(jìn)行烘培,可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來(前烘后溶劑含量降至5%左右),從而降低了灰塵的玷�。同時還可以減輕因高速旋�(zhuǎn)形成的薄膜應(yīng)�,從而提高光刻膠的附著�。在前烘過程�,由于溶劑揮�(fā),光刻膠厚度也會減薄,一般減薄的幅度�10%-20%左��

  4、曝光:曝光過程�,光刻膠中的感光劑發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),從而使正膠的感光區(qū)、負(fù)膠的非感光區(qū)能夠溶解于顯影液�。正性光刻膠中的感光劑DQ�(fā)生光化學(xué)反應(yīng),變?yōu)橐蚁�?,�(jìn)一步水解為茚并羧酸(Indene-Carboxylic-Acid,簡稱ICA�,羧酸對堿性溶劑的溶解度比未感光的感光劑高出約100�,同時還會促�(jìn)酚醛樹脂的溶�。于是利用感光與未感光的光刻膠對堿性溶劑的不同溶解�,就可以�(jìn)行掩膜圖形的�(zhuǎn)��

  5、顯影(development� ��(jīng)顯影,正膠的感光區(qū)、負(fù)膠的非感光區(qū)溶解于顯影液�,曝光后在光刻膠層中的潛在圖�,顯影后便顯�(xiàn)出來,在光刻膠上形成三位圖形。為了提高分辨率,幾乎每一種光刻膠都有專門的顯影液,以保證高質(zhì)量的顯影效果�

  6、硬烘干�也稱堅膜。顯影后,硅片還要經(jīng)過一個高溫處理過�,主要作用是除去光刻膠中剩余的溶�,增�(qiáng)光刻膠對硅片表面的附著力,同時提高光刻膠在刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性和保護(hù)能力。在此溫度下,光刻膠將軟�,形成類似玻璃體在高溫下的熔融狀�(tài)。這會使光刻膠表面在表面張力作用下圓滑�,并使光刻膠層中的缺陷(如針孔)因此減少,借此修正光刻膠圖形的邊緣輪廓�

  7、刻(腐)蝕或離子注�

  8、去膠:刻蝕或離子注入之�,已�(jīng)不再需要光刻膠作保�(hù)�,可以將其除去,稱為去膠,分為濕法去膠和干法去膠,其中濕法去膠又分有�(jī)溶劑去膠和無�(jī)溶劑去膠。有�(jī)溶劑去膠,主要是使光刻膠溶于有機(jī)溶劑而除�;無�(jī)溶劑去膠則是利用光刻膠本身也是有�(jī)物的特點,通過一些無�(jī)溶劑,將光刻膠中的碳元素氧化為二氧化碳而將其除去;干法去膠,則是用等離子體將光刻膠剝除�

主要技�(shù)參數(shù)

  a、分辨率(resolution��區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用�(guān)鍵尺寸(CD,Critical Dimension)來衡量分辨�。形成的�(guān)鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越��

  b、對比度(Contrast��指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好,形成圖形的�(cè)壁越陡峭,分辨率越好�

  c、敏感度(Sensitivity)�光刻膠上�(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的最小能量值(或最小曝光量�。單位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要�

  d、粘滯�/黏度 (Viscosity��衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增�;高的粘滯性會�(chǎn)生厚的光刻膠;越小的粘滯性,就有越均勻的� 刻膠厚度。光刻膠的比重(SG,Specific Gravity)是衡量光刻膠的密度的指�(biāo)。它與光刻膠中的固體含量有關(guān)。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體,粘滯性更高、流動性更�。粘度的� 位:泊(poise),光刻膠一般用厘泊(cps,厘泊為1%泊)來度�。百分泊即厘泊為粘滯�;運(yùn)動粘滯率定義為:�(yùn)動粘滯率=粘滯�/比重� 單位:百分斯托克斯(cs)=cps/SG�

  e、粘附性(Adherence��表征光刻膠粘著于襯底的強(qiáng)�。光刻膠的粘附性不足會�(dǎo)致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝(刻�、離子注入等)�

  f、抗蝕性(Anti-etching)�光刻膠必須保持它的粘附�,在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱�(wěn)定�、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力�

  g、表面張力(Surface Tension)�液體中將表面分子拉向液體主體�(nèi)的分子間吸引�。光刻膠�(yīng)該具有比較小的表面張�,使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋�

  h、存儲和傳送(Storage and Transmission��能量(光和熱)可以激活光刻膠。應(yīng)該存儲在密閉、低�、不透光的盒�。同時必須規(guī)定光刻膠的閑置期限和存貯溫度�(huán)�。一旦超過存儲時間或較高的溫度范圍,�(fù)膠會�(fā)生交�(lián),正膠會�(fā)生感光延遲�

更多精彩�(nèi)�,請登入維庫電子通(www.3575.com.cn�

維庫電子�,電子知�,一查百��

已收錄詞�153979

通城�| 奉新�| 甘肃�| 读书| 吴忠�| 西藏| 精河�| 镇安�| 桃园�| 营口�| 阳西�| 梨树�| 灯塔�| 陈巴尔虎�| 新竹�| 彰化�| 大安�| 修文�| 黑河�| 尼勒克县| 巴彦�| 左云�| 上饶�| 屯门�| 长岛�| 新河�| 寻甸| 荃湾�| 成武�| 加查�| 桐乡�| 邵武�| 紫金�| 陈巴尔虎�| 锡林郭勒�| 东方�| 神木�| 托克托县| 鄢陵�| 镇赉�| 锡林郭勒�|