當(dāng)輸入電壓（VDD）高于檢測(cè)電壓（-VDET）時(shí)，輸入電壓等于輸出電壓（VOUT），N溝道漏極開路MOSFET關(guān)斷。如圖3（a）所示。

　　當(dāng)輸入電壓（VDD）低于檢測(cè)電壓（-VMIN）時(shí)，輸出電壓（VOUT）等于VSS。

　　當(dāng)輸入電壓（VDD）下降到工作電壓（VMIN）時(shí)，輸出電壓不確定。

　　輸入電壓從地電位（VSS）上升時(shí)，當(dāng)VDD低于工作電壓（VMIN）時(shí)，輸出電壓不確定。當(dāng)VDD超過(guò)VMIN時(shí)，輸出電壓將維持在電位（VSS）。當(dāng)輸入電壓上升到釋放電壓（+VDET）后，輸出電壓等于輸入電壓。

　　釋放電壓（+VDET）和檢測(cè)電壓（-VDET）之間的電壓差為滯后電壓。

　　當(dāng)輸入電壓（VDD）從地電位上升時(shí)，延時(shí)電路將產(chǎn)生一定的延遲時(shí)間tDLY。輸入電壓（VDD）超過(guò)釋放電壓（+VDET）后，要經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間tDLY，輸出電壓才等于輸入電壓，如圖3（b）表示。

　　1. 低功耗

　　1、電池檢測(cè)

　　2、自定義電平選擇

　　3、電源失效檢測(cè)

　　4、微處理器復(fù)位

　　5、電池記憶備份

　　6、信號(hào)存儲(chǔ)保護(hù)

　　電壓檢測(cè)器適用于電池供電的各種電子設(shè)備。目前已廣泛應(yīng)用于微機(jī)復(fù)位電路、電子設(shè)備的通電復(fù)位電路、蓄電池充放電檢測(cè)電路、存貯器備用電池控制電路、斷電檢測(cè)電路和延時(shí)電路等。