日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

LDMOS
閱讀�16589�(shí)間:2011-06-10 15:42:50

  LDMOS� Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor;橫向�(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)�)采用雙�(kuò)散技�(shù),在同一窗口相繼�(jìn)行硼磷兩次擴(kuò)�,由兩次雜質(zhì)�(kuò)散橫向結(jié)深之差可精確地決定溝道長(zhǎng)�。蜂窩通信市場(chǎng)的不斷增�(zhǎng)保證了LDMOS晶體管的�(yīng)�,也使得LDMOS的技�(shù)不斷成熟,成本不斷降�,因此今后在多數(shù)情況下它將取代雙極型晶體�技�(shù)�

性能概述

  與雙極型晶體管相�,LDMOS管的增益更高,LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上,而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可�(dá)60dB左右。這表明對(duì)于相同的輸出功率需要更少的器件,從而增大功放的可靠性�

  LDMOS能經(jīng)受住高于雙極型晶體管3倍的駐波�,能在較高的反射功率下運(yùn)行而沒(méi)有破壞LDMOS�(shè)�;它較能承受輸入信號(hào)的過(guò)激�(lì)和適合發(fā)射數(shù)字信�(hào),因?yàn)樗械乃矔r(shí)峰值功率。LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波�(shù)字信�(hào)放大且失真較�。LDMOS管有一�(gè)低且�(wú)變化的互�(diào)電平到飽和區(qū),不像雙極型晶體管那樣互�(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變�。這種主要特性允許LDMOS晶體管執(zhí)行高于雙極型晶體管二倍的功率,且線性較�。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系�(shù)是負(fù)�(shù),因此可以防止熱耗散的影�。這種溫度�(wěn)定性允許幅值變化只�0.1dB,而在有相同的輸入電平的情況下,雙極型晶體管幅值變化從0.5~0.6dB,且通常需要溫度補(bǔ)償電路�

�(jié)�(gòu)

  LDMOS由于更容易與CMOS工藝兼容而被廣泛采用。LDMOS器件�(jié)�(gòu)如圖1所示,LDMOS是一種雙�(kuò)散結(jié)�(gòu)的功率器�。這項(xiàng)技�(shù)是在相同的源/漏區(qū)域注入兩�,一次注入濃度較大(典型注入劑量 1015cm-2)的砷(As),另一次注入濃度較?。ǖ湫蛣┝?013cm-2)的硼(B�。注入之后再�(jìn)行一�(gè)高溫推�(jìn)�(guò)�,由于硼�(kuò)散比砷快,所以在柵極邊界下會(huì)沿著橫向�(kuò)散更�(yuǎn)(圖中P阱),形成一�(gè)有濃度梯度的溝道,它的溝道長(zhǎng)度由這兩次橫向擴(kuò)散的距離之差決定。為了增加擊穿電�,在有源區(qū)和漏區(qū)之間有一�(gè)漂移區(qū)。LDMOS中的漂移區(qū)是該�(lèi)器件�(shè)�(jì)的關(guān)�,漂移區(qū)的雜�(zhì)濃度比較�,因�,當(dāng)LDMOS 接高壓時(shí),漂移區(qū)由于是高�,能夠承受更高的電壓。圖1所示LDMOS的多晶擴(kuò)展到漂移區(qū)的場(chǎng)氧上面,充當(dāng)�(chǎng)極板,會(huì)弱化漂移區(qū)的表面電�(chǎng),有利于提高擊穿電壓。場(chǎng)極板的作用大小與�(chǎng)極板的長(zhǎng)度密切相�(guān)�

LDMOS的結(jié)構(gòu)

制造工�

  LDMOS制造工藝結(jié)合了BPT和砷化鎵工藝。與�(biāo)�(zhǔn)MOS工藝不同的是,在器件封裝�,LDMOS�(méi)有采用BeO氧化鈹隔離層,而是直接硬接在襯底上,導(dǎo)熱性能得到改善,提高了器件的耐高溫�,大大延�(zhǎng)了器件壽命。由于LDMOS管的�(fù)溫效�(yīng),其漏電流在受熱�(shí)自動(dòng)均流,而不�(huì)象雙極型管的正溫度效�(yīng)在收集極電流局部形成熱�(diǎn),從而管子不易損�。所以LDMOS管大大加�(qiáng)了負(fù)載失配和�(guò)激�(lì)的承受能�。同樣由于LDMOS管的自動(dòng)均流作用,其輸入-輸出特性曲線在1dB 壓縮�(diǎn)(大信號(hào)�(yùn)用的飽和區(qū)段)下彎較緩,所以動(dòng)�(tài)范圍變寬,有利于模擬和數(shù)字電視射頻信�(hào)放大。LDMOS在小信號(hào)放大�(shí)近似線性,幾乎�(méi)有交�(diào)失真,很大程度簡(jiǎn)化了校正電路。MOS器件的直流柵極電流幾乎為�,偏置電路簡(jiǎn)�,無(wú)需�(fù)雜的帶正溫度�(bǔ)�?shù)挠性吹妥杩蛊秒娐�?/FONT>

  �(duì)LDMOS而言,外延層的厚�、摻雜濃�、漂移區(qū)的長(zhǎng)度是其最重要的特性參�(shù)。我們可以通過(guò)增加漂移區(qū)的長(zhǎng)度以提高擊穿電壓,但是這會(huì)增加芯片面積和導(dǎo)通電�。高壓DMOS器件耐壓和導(dǎo)通電阻取決于外延層的濃度、厚度及漂移區(qū)�(zhǎng)度的折中選擇。因?yàn)槟蛪汉蛯?dǎo)通阻抗對(duì)于外延層的濃度和厚度的要求是矛盾的。高的擊穿電壓要求厚的輕摻雜外延層和�(zhǎng)的漂移區(qū),而低的導(dǎo)通電阻則要求薄的�?fù)诫s外延層和短的漂移區(qū),因此必須選擇外延參�(shù)和漂移區(qū)�(zhǎng)度,以便在滿足一定的源漏擊穿電壓的前提下,得到最小的�(dǎo)通電��

�(yōu)�(shì)

  技�(shù)面:

  卓越的效�,可降低功率消耗與冷卻成本

  卓越的線性度,可將信�(hào)�(yù)校正需求降�

  �(yōu)化超低熱阻抗,可縮減放大器尺寸與冷卻需求并改善可靠�

  卓越的尖峰功率能�,可帶來(lái)最少數(shù)�(jù)�(cuò)誤率的高 3G �(shù)�(jù)�

  高功率密�,使用較少的晶體管封�

  超低感抗、回授電容與串流閘阻�,目前可� LDMOS 晶體管在雙載子器件上提供 7 bB 的增益改�

  直接源極接地,提升功率增益并免除 BeO � AIN 隔離物質(zhì)的需�

  � GHz 頻率�?lián)碛懈吖β试�?,帶?lái)更少�(shè)�(jì)步驟、更�(jiǎn)易更具成本效益的�(shè)�(jì) (采用低成本、低功率�(qū)�(dòng)晶體管)

  �(yùn)作面�

  的穩(wěn)定性,由于�(fù)汲極電流溫度常數(shù),所以不受熱散失的影�

  比雙載子更能忍受較高的負(fù)載未匹配�(xiàn)� (VSWR�,提高現(xiàn)�(chǎng)�(shí)際應(yīng)用的可靠�

  卓越的射頻穩(wěn)定度,在閘極與汲極間�(nèi)置隔離層,可以降低回授電�

  在平均無(wú)故障�(shí)� (MTTF� 上有相當(dāng)好的可靠�

特點(diǎn)及應(yīng)�

  1.熱穩(wěn)定��

  2.頻率�(wěn)定性;

  3.更高的增��

  4.提高的耐久�

  ;5.更低的噪��

  6.更低的反饋電��

  7.更簡(jiǎn)單的偏流電路�

  8.恒定的輸入阻��

  9.更好的IMD性能�

  10.更低的熱��

  11.更佳的AGC能力�

  LDMOS器件特別適用于CDMA、W-CDMA、TETRA、數(shù)字地面電視等需要寬頻率范圍、高線性度和使用壽命要求高的應(yīng)��