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HIT電池
閱讀�17804時間�2011-05-16 22:45:35

  HIT電池是日本Sanyo公司�(fā)明的異質(zhì)�(jié)電池的一種,其特�(diǎn)是再�(fā)射極和背面高濃度摻雜層與基片之間添加了一層本征非晶硅�。HIT電池是單�(jié)晶硅和非晶型硅的混合太陽電池,制造工藝溫度低、鈍化效果好,具有很好的�(fā)展前�?,F(xiàn)在人們有些習(xí)慣于用HIT表示異質(zhì)�(jié)電池�

概述

  HIT太陽能電池是采用HIT�(jié)�(gòu)的硅太陽能電�,所謂HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)�(jié)�(gòu)就是在P型氫化非晶硅和n型氫化非晶硅與n型硅襯底之間增加一層非摻雜(本征)氫化非晶硅薄�,采取該工藝措施后,改變了PN�(jié)的性能。因而使�(zhuǎn)換效率達(dá)�20.7%,開路電壓達(dá)�719 mV,并且全部工藝可以在200℃以下實(shí)�(xiàn)。HIT太陽能電池按單位面積計算的發(fā)電量保持著水�(zhǔn)。HIT具有制備工藝溫度低、轉(zhuǎn)換效率高、高溫特性好等特�(diǎn),是一種低價高效電�。HIT的轉(zhuǎn)化效率越�,意味著它更加具有可與傳�(tǒng)的硅晶太陽能電池相匹敵的�(yōu)勀�

�(yōu)�(diǎn)

  低溫制備:成本優(yōu)�

  �(fā)射極�?。旱臀�?/FONT>

  寬帶隙發(fā)射極:低吸收,高Voc

  高Voc:高�(zhuǎn)換效�

  低溫度系�(shù)(轉(zhuǎn)換效率對溫度不敏感):在溫度高地區(qū)使用

  高耐輻射性能:可�(yīng)用在宇宙空間�

工藝流程

  1.硅片清洗制絨

  2.正面用PECVD� 備本征非晶硅薄膜 和P型非晶硅薄膜

  3.背面用PECVD制備 本征非晶硅薄膜和N 型非晶硅薄膜

  4.在兩面用濺射� 沉積透明�(dǎo)電氧� 物薄�

  5.絲網(wǎng)印刷制備� �

面臨的挑�(zhàn)

  1 非晶硅太陽電池的研究,現(xiàn)在主要著重于改善非晶 硅膜本身性質(zhì),以減少缺陷密度。嚴(yán)格控制a-Si/cSi界面�(zhì)�,不斷降低缺陷態(tài)密度�

  2 �(yōu)化光陷,降低反射��

  3 提高透明�(dǎo)電膜的電�(dǎo)�,透射��

  4 降低金屬柵線的接觸電阻�

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