HIT電池是日本Sanyo公司�(fā)明的異質(zhì)�(jié)電池的一種,其特�(diǎn)是再�(fā)射極和背面高濃度摻雜層與基片之間添加了一層本征非晶硅�。HIT電池是單�(jié)晶硅和非晶型硅的混合太陽電池,制造工藝溫度低、鈍化效果好,具有很好的�(fā)展前�?,F(xiàn)在人們有些習(xí)慣于用HIT表示異質(zhì)�(jié)電池�
HIT太陽能電池是采用HIT�(jié)�(gòu)的硅太陽能電�,所謂HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)�(jié)�(gòu)就是在P型氫化非晶硅和n型氫化非晶硅與n型硅襯底之間增加一層非摻雜(本征)氫化非晶硅薄�,采取該工藝措施后,改變了PN�(jié)的性能。因而使�(zhuǎn)換效率達(dá)�20.7%,開路電壓達(dá)�719 mV,并且全部工藝可以在200℃以下實(shí)�(xiàn)。HIT太陽能電池按單位面積計算的發(fā)電量保持著水�(zhǔn)。HIT具有制備工藝溫度低、轉(zhuǎn)換效率高、高溫特性好等特�(diǎn),是一種低價高效電�。HIT的轉(zhuǎn)化效率越�,意味著它更加具有可與傳�(tǒng)的硅晶太陽能電池相匹敵的�(yōu)勀�
低溫制備:成本優(yōu)�
�(fā)射極�?。旱臀�?/FONT>
寬帶隙發(fā)射極:低吸收,高Voc
高Voc:高�(zhuǎn)換效�
低溫度系�(shù)(轉(zhuǎn)換效率對溫度不敏感):在溫度高地區(qū)使用
高耐輻射性能:可�(yīng)用在宇宙空間�
1.硅片清洗制絨
2.正面用PECVD� 備本征非晶硅薄膜 和P型非晶硅薄膜
3.背面用PECVD制備 本征非晶硅薄膜和N 型非晶硅薄膜
4.在兩面用濺射� 沉積透明�(dǎo)電氧� 物薄�
5.絲網(wǎng)印刷制備� �
1 非晶硅太陽電池的研究,現(xiàn)在主要著重于改善非晶 硅膜本身性質(zhì),以減少缺陷密度。嚴(yán)格控制a-Si/cSi界面�(zhì)�,不斷降低缺陷態(tài)密度�
2 �(yōu)化光陷,降低反射��
3 提高透明�(dǎo)電膜的電�(dǎo)�,透射��
4 降低金屬柵線的接觸電阻�
維庫電子�,電子知�,一查百��
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