外延片是指用外延工藝在襯底表面生長薄膜所生片�單晶硅片,主要由 P �, 量子�, 型三個部分構(gòu)成。一般外延層厚度�2-20微米,作為襯底的單晶�片厚度為610微米左右�
外延片的檢測一般分為兩大類:
一是光�(xué)性能檢測,主要參數(shù)包括工作電壓,光強(qiáng),波長范圍,半峰�,色溫,顯色指數(shù)� �,這些�(shù)�(jù)可以用積分球測試.
二是可靠性檢�,主要參數(shù)包括光衰,漏電,反壓,抗靜�,I-V 曲線等等,這些�(shù)�(jù)一� 通過老化�(jìn)行測�.
外延生長技�(shù)�(fā)展于20世紀(jì)50年代�60年代�,為了制造高頻大功率器件,需要減小集電極串聯(lián)電阻。生長外延層有多種方�,但采用最多的是氣相外延工藝,常使用高頻感�(yīng)爐加�,襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體�,然后放�(jìn)石英反應(yīng)器中,也可采用紅外輻照加�。為了克服外延工藝中的某些缺�(diǎn),外延生長工藝已有很多新的�(jìn)展:減壓外延、低溫外�、選擇外延、抑制外延和分子束外延等。外延生長可分為多種,按照襯底和外延層的化學(xué)成分不同,可分為同質(zhì)外延和異�(zhì)外延;按照反�(yīng)�(jī)理可分為利用化學(xué)反應(yīng)的外延生長和利用物理反應(yīng)的外延生�;按生長過程中的相變方式可分為氣相外�、液相外延和固相外延��
外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)�,展完外延片,接下來就在每張外延片隨意抽取九�(diǎn)做測試,符合要求的就是良�,其它為不良品(電壓偏差很大,波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P�,N極),接下來就用激光切割外延片,然后百分百分撿,根�(jù)不同的電壓,波長,亮度�(jìn)行全自動化分檢,也就是形成led晶片(方片)。然后還要�(jìn)行目�,把有一�(diǎn)缺陷或者電極有磨損�,分撿出�,這些就是后面的散�。此時在�(lán)膜上有不符合正常出貨要求的晶�,也就自然成了邊片或毛片�。不良品的外延片(主要是有一些參�(shù)不符合要求),就不用來做方片,就直接做電極(P�,N極),也不做分檢�,也就是目前市場上的LED大圓片(包括方片等)�
外延�(chǎn)品應(yīng)用于4個方面,分立半導(dǎo)體用于制造要求具有精密Si特性的元件?!捌娈悺保╡xotic)半�(dǎo)體類包含一些特種產(chǎn)�,它們要用非Si材料,其中許多要用化合物半導(dǎo)體材料并入外延層中。掩埋層半導(dǎo)體利用雙極晶體管元件�(nèi)�?fù)诫s區(qū)�(jìn)行物理隔離,這也是在外延加工中沉積的。CMOS互補(bǔ)金屬氧化物半�(dǎo)體支持了要求小器件尺寸的前沿工藝。CMOS�(chǎn)品是外延片的�(yīng)用領(lǐng)�,并被IC制造商用于不可恢復(fù)器件工藝,包括微處理器和邏輯芯片以及存儲器應(yīng)用方面的閃速存儲器和DRAM(動�(tài)隨機(jī)存取存儲器)�
維庫電子�,電子知識,一查百��
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