多晶�太陽(yáng)�電池(polycrystalline silicon solar cell�,就是以多晶硅為基體材料�太陽(yáng)能電�。多晶硅太陽(yáng)電池的性能基本與單晶硅太陽(yáng)電池相同,它兼具了單晶硅電池的高�(zhuǎn)換效率和�(zhǎng)壽命以及非晶�薄膜電池的材料制備工藝相�(duì)�(jiǎn)化等�(yōu)�(diǎn)的新一代電�,其�(zhuǎn)換效率一般為12%左右�
多晶硅太�(yáng)能電池的制作工藝與單晶硅太陽(yáng)電池差不�,但是多晶硅太陽(yáng)能電池的光電�(zhuǎn)換效率則要降低不�,其光電�(zhuǎn)換效率約12%左�(2004�7�1日日本夏普上市效率為14.8%的世界效率多晶硅太陽(yáng)能電�)。從制作成本上來(lái)�,比單晶硅太�(yáng)能電池要便宜一�,材料制造簡(jiǎn)�,節(jié)約電耗,總的生產(chǎn)成本較低,因此得到大量發(fā)�。此外,多晶硅太�(yáng)能電池的使用壽命也要比單晶硅太陽(yáng)能電池短�
多晶硅太�(yáng)能電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材�,而制造這些材料工藝�(fù)雜,電耗很�,在太陽(yáng)能電池生�(chǎn)總成本中己超二分之一。加之拉制的單晶硅棒呈圓柱狀,切片制作太�(yáng)能電池也是圓�,組成太�(yáng)能組件平面利用率低。因��80年代以來(lái),歐美一些國(guó)家投入了多晶硅太�(yáng)能電池的研制�
多晶硅太�(yáng)能電池芯片是具有光電效應(yīng)的半�(dǎo)體器�,半�(dǎo)體的PN�(jié)被光照后�(chǎn)生電�,當(dāng)光直射太�(yáng)能電池芯片,其中一部分被反�,一部分被吸�。一部分透過(guò)電池芯片、被吸收的光激�(fā)被束縛的高能�(jí)狀�(tài)下的電子,使之成為自由電�,這些自由電子在晶體內(nèi)向各方向移動(dòng),余下空穴(電子以前的位置)。空穴也圍繞晶體飄移,自由電子(-)在N�(jié)聚集,空穴(+)在P�(jié)聚集,當(dāng)外部�(huán)路被閉合,電流產(chǎn)��
?、倬哂蟹€(wěn)定高效的光電�(zhuǎn)換效��
②表面覆深藍(lán)色氮化硅減反�,顏色均勻美觀�
?、鄹咂焚|(zhì)的銀和銀鋁漿�,確保良好的�(dǎo)電�、可靠的附著力和很好的電極可焊��
?、芨呔鹊慕z�(wǎng)印刷圖形和高平整�,使得電池易于自�(dòng)焊接和激光切��
維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��
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