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�(dòng)�(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)�
閱讀�7949�(shí)間:2011-04-13 18:06:18

  �(dòng)�(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)�(DRAM=Dynamic Random Access Memory),是�(jì)算機(jī)系統(tǒng)使用的隨�(jī)存取�(nèi)�(RAM)中的一�。它只能將數(shù)�(jù)保持很短的時(shí)�,為例保�?jǐn)?shù)�(jù),它使用電容存儲(chǔ)。所以,必須一段時(shí)間刷新一�,如果存�(chǔ)單元沒有被刷�,存�(chǔ)的信息就�(huì)丟失�(�(guān)�(jī)就會(huì)丟失�(shù)�(jù))

微量分析

  �(dòng)�(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)�(微量)存放中的每一位數(shù)�(jù)在分開電容器之內(nèi)集成電路. �?yàn)檎嬲碾娙萜髀┏潆?,信息最終退�,除非周期性地刷新電容器充�� 因此刷新要求,它是a �(dòng)�(tài) 記憶與相�(duì)SRAM并且其他靜態(tài)記憶�

  微量的好處是它的�(jié)�(gòu)樸素:僅一支晶體管和電容器每位在SRAM需�,與六支晶體管比�。這允許微量到�(dá)非常� 密度.象SRAM,它在類 易失性記� �(shè)�,因?yàn)樗鼇G失它的數(shù)�(jù),當(dāng)取消電源。然而不同于SRAM,數(shù)�(jù)也許在力量以后短�(shí)間仍然恢�(fù)�

特點(diǎn)

  1、隨�(jī)存取

  所謂“隨�(jī)存取�,指的是�(dāng)存儲(chǔ)器中的消息被讀取或?qū)懭霑r(shí),所需要的�(shí)間與這段信息所在的位置無關(guān)。相�(duì)�,讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(Sequential Access)存�(chǔ)�(shè)備中的信息時(shí),其所需要的�(shí)間與位置就會(huì)有關(guān)系(如磁帶)�

  2、易失�

  �(dāng)電源�(guān)閉時(shí)RAM不能保留�(shù)�(jù)。如果需要保存數(shù)�(jù),就必須把它們寫入一�(gè)長期的存�(chǔ)�(shè)備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比,兩者的區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)�(jù)�(huì)自動(dòng)消失,而ROM不會(huì)�

  3、高訪問速度

  �(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器幾乎是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的,取存延遲也和其他涉及機(jī)械運(yùn)作的存儲(chǔ)�(shè)備相比,也顯得微不足��

  4、需要刷�

  �(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴電容器存儲(chǔ)�(shù)�(jù)。電容器充滿電后代表1(二�(jìn)�),未充電的代�0。由于電容器或多或少有漏電的情形,若不作特別處理,數(shù)�(jù)�(huì)漸漸隨時(shí)間流�。刷新是指定期讀取電容器的狀�(tài),然后按照原來的狀�(tài)重新為電容器充電,彌�(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失��

  5、對(duì)靜電敏感

  正如其他精細(xì)的集成電�,隨�(jī)存取存儲(chǔ)器對(duì)�(huán)境的靜電荷非常敏�。靜電會(huì)干擾存儲(chǔ)器內(nèi)電容器的電荷,引致數(shù)�(jù)流失,甚至燒壞電�。故此觸碰隨�(jī)存取存儲(chǔ)器前,應(yīng)先用手觸摸金屬接��

工作原理

  �(dòng)�(tài) RAM 也是由許多基本存�(chǔ)元按照行和列來組成的.

  3 管動(dòng)�(tài) RAM 的工作原�

3 管動(dòng)態(tài) RAM 的工作原理

  DRAM �(shù)�(jù)� 3 管動(dòng)�(tài) RAM 的基本存�(chǔ)電路如上圖所�.在這�(gè)電路�,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀 �(shù)�(jù)線和寫數(shù)�(jù)線也是分開的.

  寫操作時(shí),寫選擇線�"1",所� Q1 �(dǎo)�,要寫入的�(shù)�(jù)通過 Q1 送到 Q2 的柵�,并通過柵極 電容在一定時(shí)間內(nèi)保持信息.讓我們看一下動(dòng)�(tài)效果

  讀操作�(shí),先通過公用的預(yù)充電� Q4 使讀�(shù)�(jù)線上的分布電� CD 充電,�(dāng)讀選擇線為高電� 有效�(shí),Q3 處于可導(dǎo)通的狀�(tài).若原來存�"1",� Q2 �(dǎo)�,讀�(shù)�(jù)線的分布電容 CD 通過 Q3,Q2 放電,此時(shí)讀得的信息�"0",正好和原存信息相�;若原存信息為"0",� Q3 盡管具備�(dǎo)通條�,� �?yàn)?Q2 截止,所�,CD 上的電壓保持不變,因�,讀得的信息�"1".可見,�(duì)這樣的存�(chǔ)電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器�(jìn)行反相在送往 �(shù)�(jù)總線.

與靜�(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的區(qū)�

  一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)使用的隨�(jī)存取�(nèi)�(RAM)可分�(dòng)�(tài)(DRAM)與靜態(tài)隨機(jī)存取�(nèi)�(SRAM)兩種,差異在于DRAM需要由存儲(chǔ)器控制電路按一定周期對(duì)存儲(chǔ)器刷�,才能維系數(shù)�(jù)保存,SRAM的數(shù)�(jù)則不需要刷新過�,在上電期間,數(shù)�(jù)不會(huì)丟失�

  SRAM靜態(tài)的隨�(jī)存儲(chǔ)器:  特點(diǎn)是工作速度快,只要電源不撤�,寫入SRAM的信息就不會(huì)消失,不需要刷新電�,同�(shí)在讀出時(shí)不破壞原來存放的信息,一�(jīng)寫入可多次讀出,但集成度較低,功耗較大。SRAM一般用來作為計(jì)算機(jī)中的高速緩沖存�(chǔ)�(Cache)�

  DRAM是動(dòng)�(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)�(Dynamic Random Access Memory)�  它是利用�(chǎng)效應(yīng)管的柵極�(duì)其襯底間的分布電容來保存信息,以存儲(chǔ)電荷的多�,即電容端電壓的高低來表示�1”和�0�。DRAM每�(gè)存儲(chǔ)單元所需的場(chǎng)效應(yīng)管較少,常見的有4��3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高,功耗也較低,但缺點(diǎn)是保存在DRAM中的信息__�(chǎng)效應(yīng)管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會(huì)逐漸消失,一般信息保存時(shí)間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息,必須每�1�2ms�(duì)其刷新一次。因�,采� DRAM的計(jì)算機(jī)必須配置�(dòng)�(tài)刷新電路,防止信息丟�。DRAM一般用作計(jì)算機(jī)中的主存�(chǔ)��

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