半導(dǎo)體二極管(Semiconductor Diode),又稱晶體二極管,簡(jiǎn)稱二極管,由一�(gè)PN�(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成�。由P區(qū)引出的電極稱為陽(yáng)�,N區(qū)引出的電極稱為陰極。因?yàn)镻N�(jié)的單�?qū)щ�?,二極管�(dǎo)通時(shí)電流方向是由�(yáng)極通過(guò)管子�(nèi)部流向陰極。在電子電路中用于檢�、限�、整�、開(kāi)�(guān)、穩(wěn)�、電平顯示等�
1.根據(jù)材料可分為:硅二極管、鍺二極�
2.根據(jù)�(jié)�(gòu)可分為:�(diǎn)接觸�、面接觸�、平面型
●點(diǎn)接觸型二極管,通過(guò)的電流小,結(jié)電容小,適用于高頻電路和�(kāi)�(guān)電路�
●面接觸型二極管,結(jié)面積�,電流大,結(jié)電容�,適用于低頻整流電路�
●平面型二極�,結(jié)面積較大�(shí)可以通過(guò)較大電流,適用于大功率整�,結(jié)面積較小�(shí),可作為�(shù)字電路中的開(kāi)�(guān)��
3.根據(jù)用途可分為:普通二極管,整流二極管,開(kāi)�(guān)二極管,�(wěn)壓二極管�
1. 整流電流 IOM
二極管長(zhǎng)期使用時(shí),允許流�(guò)二極管的正向平均電流�
2. 反向擊穿電壓UBR
二極管反向擊穿時(shí)的電壓�。擊穿時(shí)反向電流劇增,二極管的單�?qū)щ娦员黄茐模踔吝^(guò)熱而燒�。手�(cè)上給出的反向工作電壓UWRM一般是UBR的一��
3. 反向電流 IR
指二極管加反向峰值工作電壓時(shí)的反向電�。反向電流大,說(shuō)明管子的單向?qū)щ娦圆?,因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影�,溫度越高反向電流越�。硅管的反向電流較小,鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍�
4. 微變電阻 rD
rD 是二極管特性曲線上工作�(diǎn)Q 附近電壓的變化與電流的變化之比:
5. 二極管的極間電容
二極管的兩極之間有電�,此電容由兩部分組成:勢(shì)壘電容CB和擴(kuò)散電容CD�
?�?)勢(shì)壘電容:�(shì)壘區(qū)是積累空間電荷的區(qū)�,當(dāng)電壓變化�(shí),就�(huì)引起積累在勢(shì)壘區(qū)的空間電荷的變化,這樣所表現(xiàn)出的電容是勢(shì)壘電容�
?�?)擴(kuò)散電容:為了形成正向電流(擴(kuò)散電流),注入P 區(qū)的少子(電子)在P 區(qū)有濃度差,越靠近PN�(jié)濃度越大,即在P 區(qū)有電子的積累。同�,在N區(qū)有空穴的積累。正向電流大,積累的電荷�。這樣所�(chǎn)生的電容就是�(kuò)散電容CD�
CB在正向和反向偏置�(shí)均不能忽�。而反向偏置時(shí),由于載流子�(shù)目很�,擴(kuò)散電容可忽略�
半導(dǎo)體二極管伏安特性是指二極管流過(guò)的電流與二極管兩端電壓之間的�(guān)系曲�。圖為半�(dǎo)體二極管的伏安特性曲線�
(1) 正向特�
�(dāng)VD�0 即處于正向特性區(qū)�,正向區(qū)又分為兩段:
①當(dāng)0<VD<Vth�(shí),外電場(chǎng)不足以克服PN�(jié)的內(nèi)電場(chǎng)�
正向電流為零,Vth稱為死區(qū)或開(kāi)啟電�
?、诋?dāng)VD>Vth�(shí),內(nèi)電場(chǎng)大為削弱�
�(kāi)始出�(xiàn)正向電流,并按指�(shù)�(guī)律增�(zhǎng)�
Si二極管的死區(qū)電壓Vth=0.5 V左右,Ge二極管的死區(qū)電壓Vth=0.1 V左右�
(2)反向特�
�(dāng)VBR<V�0�(shí),反向電流很�,且基本不隨反向電壓的變化而變化,此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流IS �
(3)反向擊穿特�
�(dāng)PN�(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)(VD ≤VBR�,反向電流突然快速增加,此現(xiàn)象稱為PN�(jié)的反向擊�。在反向區(qū),硅二極管和鍺二極管的特性有所不同�
硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡,反向飽和電流也�??;鍺二極管的反向擊穿特性比較軟,過(guò)渡比較圓�,反向飽和電流較�