相變�記憶�名稱有很多種,包括PCM(Phase Change Memory)、PRAM(Phase-change RAM)�,英特爾、IBM 、意法和三星開發(fā)PCM,而三星宣布已開始量產(chǎn)512MbPRAM。PRAM是一種非易失性存儲技�(shù),用的材料為硫系玻�,基于硫族材料的電致相變�
全球的相變化記憶體分�3大陣營,包括恒憶(Numonyx)/英特爾(Intel)、三星電�(Samsung Electronics)、旺宏/IBM�,其中恒憶和旺宏都稱為PCM,三星的�(chǎn)品則稱為PRAM�
相變化記憶體最早發(fā)明人為S. R. Ovshinsky,於1966年代表美國公司Energy Conversion Devices(ECD)提出1篇美國專利中表示,在�?qū)倩�?Chalcogenide)中,�(jié)晶相與非晶相之間的光�(xué)性質(zhì)及導(dǎo)電度都有顯著的不�,而這兩項間可進行快�、可逆且�(wěn)定的�(zhuǎn)換,適合做開�(guān)(switching)及記�(memory)之用�
相變化記憶體需要新材料,也就是�?qū)倩衔锛存N硒銻GST,在�(jié)晶態(tài)與非�(jié)晶態(tài)這兩種高、低不同的相變化(Phase Change)區(qū)分中來當(dāng)�0�1,進而做為記憶體用�。與�(xiàn)有的記憶體NAND Flash和DRAM相比較,仍是各有�(yōu)缺點�
日前三星宣布將相變化記憶體用在智慧型手機用的MCP(Multi-Chip Package)晶片,目的是用來取代NOR Flash角色,目前推�512Mb�(chǎn)�,且計劃在年底前大量�(dǎo)入手機市�,而三星這樣的大動作,也宣示相變化記憶體不再只是紙上談兵的下世代記憶體技�(shù),是真正可以�(dǎo)入終端市場的技�(shù)�
再者,恒憶也宣布推出第2款新的相變化記憶�,并成立新的副品牌Omneo,主要是針對需要量身訂做的客戶來服�(wù),應(yīng)用范圍包含有線及無線通訊、消費電子產(chǎn)�、個人電腦(PC)和嵌入式�(yīng)用產(chǎn)品等,也是積極將相變化記憶體�(dǎo)入市場的另一案例�
相變化記憶體的每一個存儲單元在被加熱時呈晶體狀表示1,反之則為非晶體表示0,只要施加很小的�(fù)位電流就可以實現(xiàn)這兩種狀�(tài)的切�。相比閃存,PRAM在寫入新�(shù)�(jù)前不需要執(zhí)行擦除原�(shù)�(jù)的步�,因此讀寫速度是普通閃存的30�,同時其擦寫壽命也是閃存�10�
PRAM�(yōu)點是高效能和低耗電
相變化記憶體在特性上與多種記憶體有多處相似之處,但特性更�。其與DRAM及Flash之比較請見圖�。其中相變化記憶體具有如同F(xiàn)lash 一般的特質(zhì),例如非揮發(fā)�、可靠的記憶儲存能力(Retention)以及MLC(Multi Level Cell)等�。至於在寫入速度(Write Speed)與寫入次數(shù)(Endurance)的表現(xiàn)�,相變化記憶體則是遠高於Flash,而且逼近於DRAM的讀寫速度。在元件特性上,相變化記憶體等於是綜合了Flash與DRAM的優(yōu)點;在制程方�,相變化記憶體屬於後段制程,容易� CMOS邏輯制程整合,同時又因為其工作原理不同,不受傳統(tǒng)元件微小化的�(guī)�,可以跨越制程可縮性的鴻溝,對於SoC 與獨立記憶體(Standalone)都有優(yōu)異的�(fā)展空�。在�(yīng)用上,相變化記憶體具有低耗電與低電壓操作的優(yōu)�,其寫入電壓小於 2V,不需要復(fù)雜且高成本之升壓電路�(shè)�,而其讀取電壓則小於1V,完全滿足可攜式電子�(chǎn)品低操作電壓的設(shè)計要�。擁有這麼多優(yōu)點於一�,相變化記憶體因此被稱為記憶��
維庫電子�,電子知識,一查百��
已收錄詞�160753�