MOS場效�(yīng)�即金�-氧化�-半導(dǎo)�型場效應(yīng)�,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor�,屬于絕緣柵��
在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(可�(dá)1015Ω�。它也分N溝道管和P溝道管,符號(hào)如圖所�。通常是將襯底(基板)與源極S接在一��
根據(jù)�(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)�、耗盡型。所謂增�(qiáng)型是指:�(dāng)VGS=0�(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵�,從而“增�(qiáng)”了該區(qū)域的載流�,形成導(dǎo)電溝�。耗盡型則是指,當(dāng)VGS=0�(shí)即形成溝道,加上正確的VGS�(shí),能使多�(shù)載流子流出溝�,因而“耗盡”了載流�,使管子�(zhuǎn)向截��
以N溝道為例,它是在P型硅襯底上制成兩�(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏�(kuò)散區(qū)N+,再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連�,二者總保持等電�。圖(a)符�(hào)中的前頭方向是從外向�,表示從P型材料(襯底)指身N型溝�。當(dāng)漏接電源正極,源極接電源�(fù)極并使VGS=0�(shí),溝道電流(即漏極電流)ID=0。隨著VGS逐漸升高,受柵極正電壓的吸引,在兩�(gè)�(kuò)散區(qū)之間就感�(yīng)出帶�(fù)電的少數(shù)載流�,形成從漏極到源極的N型溝道,�(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN(一般約�+2V)時(shí),N溝道管開始導(dǎo)�,形成漏極電流ID�
國產(chǎn)N溝道MOSFET的典型產(chǎn)品有3DO1�3DO2�3DO4(以上均為單柵管��4DO1(雙柵管�。它們的管腳排列(底視圖)見�� MOS場效�(yīng)管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶�,而少量電荷就可在極間電容上形成相�(dāng)高的電壓(U=Q/C�,將管子損壞。因此出廠時(shí)各管腳都絞合在一�,或裝在金屬箔內(nèi),使G極與S極呈等電�,防止積累靜電荷。管子不用時(shí),全部引線也�(yīng)短接。在測量�(shí)�(yīng)格外小心,并采取相應(yīng)的防靜電感措��
1.準(zhǔn)備工�
測量之前,先把人體對(duì)地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連�,使人體與大地保持等電位。再把管腳分�,然后拆掉導(dǎo)��
2.判定電�
將萬用表撥于R×100檔,首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大,證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量,S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐,其中阻值較小的那一�,黑表筆接的為D�,紅表筆接的是S�。日本生�(chǎn)�3SK系列�(chǎn)品,S極與管殼接�,據(jù)此很容易確定S極�
3.檢查放大能力(跨導(dǎo)�
將G極懸�,黑表筆接D�,紅表筆接S極,然后用手指觸摸G�,表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場效�(yīng)管有兩�(gè)柵極G1、G2。為區(qū)分之,可用手分別觸摸G1、G2�,其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2��
目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保�(hù)二極�,平�(shí)就不需要把各管腳短路了�
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