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整流橋模�
閱讀�9059時間�2010-09-19 14:49:25

  整流�模塊就是將整流管封在一個殼�(nèi)�.分全橋和半橋.全橋是將連接好的橋式整流電路的四�二極�封在一�.半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一�,用兩個半橋可組成一個橋式整流電�,一個半橋也可以組成變壓�帶中心抽頭的全波整流電路�

原理

  其內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓�(zhuǎn)化為輸出的直流電��

  在整流橋的每個工作周期內(nèi),同一時間只有兩個二極管進行工作,通過二極管的單向?qū)ü�?,把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動電�。對一般常用的小功率整流橋(如:RECTRON SEMICONDUCTOR的RS2501M)進行解剖會發(fā)�(xiàn),其�(nèi)部的�(jié)�(gòu)如圖2所�,該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)�(gòu)(大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式�。橋�(nèi)的四個主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板,他們分別與輸入引腳(交流輸入導線)相連,形成我們在外觀上看見的有四個對外連接引腳的全波整流橋。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結(jié)�(gòu),在上述的二極管、引腳銅�、連接銅板以及連接導線的周圍充滿了作為絕緣、導熱的骨架填充物質(zhì)——環(huán)氧樹�。然而,�(huán)氧樹脂的導熱系數(shù)是比較低的(一般為0.35℃W/m,為2.5℃W/m�,因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大(通常�1.0~10�/W�。通常情況�,在元器件的相關參數(shù)表里,生�(chǎn)廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的�(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當元器件自帶一散熱�,通過散熱器進行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc��

特點

  1、鋁基導熱底板:其功能為陶瓷覆鋁�(DBC基板)提供�(lián)�(jié)支撐和導熱通道,并作為整個模塊的�(jié)�(gòu)基礎。因�,它必須具有高導熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進行高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系�(shù)鋁為16�7×10-6/℃,DBC約不5�6×10-6/℃)相差較大,為�,除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對銅底板要進行一定弧度的預彎,這種存在s一定弧度的焊成�,能在模塊裝置到散熱器上�,使它們之間有充分的接觸,從而降低模塊的接觸熱阻,保證模塊的出力�

  2、DBC基板:它是在高溫下將氧化�(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,它具有�(yōu)良的導熱�、絕緣性和易焊�,并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系�(shù)(硅為4�2×10-6/℃,DBC�5�6×10-6/℃),因而可以與硅芯片直接焊�,從而簡化模塊焊接工藝和降低熱阻。同�,DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,以用作主電路端子和控制端子的焊接支�,并將銅底板和電力半導體芯片相互電氣絕緣,使模塊具有有效值為2�5kV以上的絕緣耐壓�

  3、電力半導體芯片:超快恢復二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN�(jié)是玻璃鈍化保�,并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠,并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹�,這種多層保護使電力半導體器件芯片的性能�(wěn)定可�。半導體芯片直接焊在DBC基板�,而芯片正面都焊有�(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線,而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實�(xiàn)�。根�(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點,F(xiàn)RED芯片采用三片是正�(即芯片正面是陰極、反面是陽極)和三片是反燒(即芯片正面是陽極、反面是陰極),并利用DBC基板的刻蝕圖�,使焊接簡化。同�,所有主電極的引出端子都焊在DBC基板�,這樣使連線減少,模塊可靠性提��

  4、外殼:殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強度高以及熱變溫度高的,并加�40%玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組�,它能很好地解決與銅底板、主電極之間的熱脹冷縮的匹配問題,通過�(huán)氧樹脂的澆注固化工藝或環(huán)氧板的間�,實�(xiàn)上下殼體的結(jié)�(gòu)連接,以達到較高的防護強度和氣閉密封,并為主電極引出提供支撐�

�(yōu)�

  整流橋模塊有著體積小、重量輕、結(jié)�(gòu)緊湊、外接線簡單、便于維護和安裝等優(yōu)��

分類

  整流橋模塊有全橋和半橋之分�

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