不同的國家和地區(qū)的對(duì)頻率的分配和發(fā)射功率的規(guī)定是不 同的。在某些地區(qū)，某些頻段的RFID 產(chǎn)品可能是被禁止使用的。其中13.56MHz的RFID國際標(biāo)準(zhǔn)有ISO14443和ISO15693兩種。

　　ISO14443又分為Type A 和 Type B兩中。其中Type A 以飛利浦的Mifare one 為代表, Type B有代表性的是目前我國正 在發(fā)行的*。ISO14443是近耦合通訊協(xié)議，通訊距離小于10cm. ISO15693是疏耦合通訊協(xié)議，通訊距離可以達(dá)到1.5m.

　　在ISO15693協(xié)議中，為了從閱讀器到疏耦合IC卡的數(shù)據(jù)傳輸，不僅使用了10%的ASK調(diào)制，而且還使用了100%的ASK.此外，有兩種不同的編碼方法：一是“256中取1”，另一種是“4中取1”。

　　這部分電路通過Cadence spectre 仿真環(huán)境進(jìn)行了仿真，并通過SMIC CMOS 0.18um one play four metal工藝流片驗(yàn)證。

　　由于讀卡機(jī)發(fā)出的磁場(chǎng)強(qiáng)度跟與讀卡機(jī)的遠(yuǎn)近距離有關(guān)，在離讀卡機(jī)距離近的地方磁場(chǎng)強(qiáng)度 大，離讀卡機(jī)距離遠(yuǎn)的地方磁場(chǎng)強(qiáng)度少，當(dāng)RFID 標(biāo)簽芯片離讀卡機(jī)距離很近時(shí)，由于磁場(chǎng) 強(qiáng)度很大，RFID 標(biāo)簽芯片天線兩端耦合過來的電壓值很高，如果不進(jìn)行高壓保護(hù)的話，會(huì) 對(duì)RFID 標(biāo)簽芯片內(nèi)部電路造成損壞，所以高壓保護(hù)電路必不可少。讀卡機(jī)和RFID 標(biāo)簽之間 的通訊是采用半雙工的模式,讀卡機(jī)發(fā)出的指令通過ASK 調(diào)制疊加到載波上發(fā)送給 RFID 標(biāo)簽 芯片，RFID 標(biāo)簽芯片通過自己內(nèi)部的解調(diào)電路把指令解調(diào)出來送到數(shù)字邏輯控制電路進(jìn)行譯碼，然后處理相應(yīng)的指令。RFID 標(biāo)簽芯片的數(shù)據(jù)的返回通過自己內(nèi)部的調(diào)制電路把數(shù)據(jù)疊加到讀卡器發(fā)出的載波上發(fā)送給讀卡機(jī)，讀卡機(jī)通過自己內(nèi)波的解調(diào)電路把數(shù)據(jù)解調(diào)出來。這樣讀卡器和 RFID 標(biāo)簽完成互相通信。

　　兩個(gè)反相器電路組成了鎖存器電路.信號(hào)相位相反的 13.56MHz 的正弦信號(hào)通過天線端coil1 和coil2 加到 NMOS 管M7 和M8 上,當(dāng)coil1 為高電 平信號(hào)時(shí), coil2 就為低電平信號(hào),這時(shí)NMOS 管M7 導(dǎo)通,M8 截止. 當(dāng) coil1 為低電平 時(shí),coil2 就變?yōu)楦唠娖?這是NMOS 晶體管M7 截止,M8 導(dǎo)通. 通過這種交替控制,時(shí)鐘產(chǎn)生電路產(chǎn)生了 13.56MHz 的方波時(shí)鐘信號(hào)。

　　在RFID 標(biāo)簽芯片中，需要有一個(gè)較大的電容儲(chǔ)存足夠的電荷供標(biāo)簽在輸入能量較弱的時(shí)候當(dāng)作電源來使用。如果輸入電壓過高，電源電壓升高到一定程度，穩(wěn)壓電路中瀉流電路就要起作用，把電容上多余的電荷釋放掉，以達(dá)到穩(wěn)壓的目的。穩(wěn)壓電路采用5 個(gè)PNP 三極管，這種穩(wěn)壓電路做到了采用最少的器件達(dá)到穩(wěn)壓的效果。 由于PNP 的Vbe 電壓在0.7v 左右，所以5 個(gè)三極管的穩(wěn)壓在3.5v 左右。當(dāng)電壓超過 3.5v 后，電流會(huì)功過PNP 的發(fā)射極到集電極的通路把電荷釋放掉。很好的起到限壓的效果。