FeRAM.它是利用鐵電薄膜的雙�(wěn)�(tài)極化特性——電滯回線制備的非易失性存儲器,將鐵電薄膜技�(shù)與集成電路工藝相�(jié)合制作鐵電存儲器(FeRAM)是新興的邊緣學�-集成鐵電學中電引入矚目的研究方向�
FeRam具有不揮�(fā)性和抗輻射�,功耗低,寫操作速度�,可比EEPROM高兩個數(shù)量級,寫操作次數(shù)�,可�100億次,比EEPROM高數(shù)個數(shù)量級。FeRAM被認為是未來存儲技�(shù)的主流,根據(jù)�(yù)�,今后若干年�(nèi)可能取代EEPROM,甚至DRAM,SRAM而占�(jù)每年幾百億美元市�,將在非接觸IC�,移動電話,手提計算�,嵌入式微處理器,AIR BAG等方面得到廣泛應(yīng)�。這一技�(shù)有巨大的市場價值。同時體�(xiàn)了材�、技�(shù)和多種物理效�(yīng)的集�,對它的研究同時有著重要的科學意��
FeRam是一種理想的存儲�.在計算機、航天航�、軍工等�(lǐng)域具有廣闊的�(yīng)用前�.FeRAM是當前鐵電薄膜存儲器的主要研究和開發(fā)方向,世界上許多大的半導(dǎo)體公司對此都十分重視.如美國的Ramtron公司�1995年開�(fā)�4�6kbit的并行和串行�(jié)�(gòu)的FeRAM�(chǎn)�.該公司與Symetrix共同組建�(lián)合體,計劃在1998年推�16Mbit FeRAM�(chǎn)�,投放市�.
從目前的市場情況看,不揮�(fā)存儲器的市場增長速度已高于DRAM和SRAM。應(yīng)用需求主要在非接觸IC卡、智能卡、移動電�、掌上電�、手提計算機、嵌入式微處理器等領(lǐng)�。不揮發(fā)存儲器最巨大的市場增長點在嵌入式存儲器方靀嵌入式存儲器陣列主要用�3個領(lǐng)�;非接觸存儲卡需要低密度(≤16Kb)不揮發(fā)存儲器(NVM�,當今市場較小(�100�$�,但具有巨大市場潛力。智能卡(SmartCard)中需要中等密度到高密度(128Kb-1Mb)的NVM,目前市場規(guī)模為100M$,但增長極其快。嵌入式系統(tǒng)采用各種�(guī)模的NVM(--2Mb�。估計市場為500M$-1B$,但在今后5年�(nèi)增長極快。目前市場上的較低容量(1Mbit以下)的FeRAM的應(yīng)用方向是為了取代同等容量的E2PROM。為�,其管腳�(shè)計和輸入輸出接口都采用現(xiàn)有的E2PROM的規(guī)�,這樣就可以做到在對現(xiàn)有系�(tǒng)不作任何改動的情況下,直接取代E2PROM�
由于FeRAM的顯著優(yōu)點以及巨大的市場需�,國際展開了激烈的研究競爭。目前在鐵電存儲器商�(yè)化中遇到的主要挑�(zhàn)是缺少低成本的與硅基CMOS工藝集成的技�(shù),達不到批量生產(chǎn)的原因主要是材料和存儲單元結(jié)�(gòu)問題。具體表�(xiàn)在很多器件停留在�(fā)表論文階�;與主流�(chǎn)品存在技�(shù)代的差距,目前只有0.35μm器件采用MLM工藝。單元尺寸不會小�25F2,F是最小線�。構(gòu)成陣列的效率較低,在25-30%范圍內(nèi)�
維庫電子�,電子知�,一查百��
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