閃速EEPROM是在EEPROM基礎(chǔ)上研制出�(lái)的存�(chǔ)�,較好的克服了EEPROM編程�(shí)間過(guò)�(zhǎng)的缺�(diǎn),其容量�,編程速度�,在系統(tǒng)電可擦除和可重復(fù)編程,而不需要特殊的高電壓(某些代閃速存�(chǔ)器也要求高電壓來(lái)完成擦除� / 或編程操作);獲得了廣泛的應(yīng)用�
EEPROM 具有很高的靈活�,可以單字節(jié)讀�(xiě)(不需要擦�,可直接改寫(xiě)�(shù)�(jù)),但存�(chǔ)密度�,單位成本高。部分制造商生產(chǎn)出另一�(lèi)� EEPROM 做閃速存�(chǔ)陣列� Flash Memory ,如 ATMEL � SST 的小扇區(qū)�(jié)�(gòu)閃速存�(chǔ)器( Small Sector Flash Memory )和 ATMEL 的海量存�(chǔ)器( Data-Flash Memory ��
�28F040為例,主要有如下幾種工作�(lèi)型:
� 讀出類(lèi)�。它包括�28F040中讀出某�(gè)單元的數(shù)�(jù),讀出芯片內(nèi)部狀�(tài)寄存器中的內(nèi)�,讀出芯片內(nèi)部的廠家�(biāo)記和器件�(biāo)記這三種情��
?�?�(xiě)入編程類(lèi)�。它包括�(duì)28F040�(jìn)行編程寫(xiě)入及�(duì)其內(nèi)部各32KB塊的軟件保護(hù)�
?、鄄脸?lèi)�。它包括�(duì)整片一次擦除或只擦除片�(nèi)某些塊以及在擦除�(guò)程中使擦除掛起和恢復(fù)擦除�
閃速EEPROM器件具有 EEPROM � NOR 技�(shù) Flash Memory 二者折衷的性能特點(diǎn)�
?�?1 � 讀�(xiě)的靈活性遜� EEPROM ,不能直接改�(xiě)�(shù)�(jù)。在編程之前需要先�(jìn)行頁(yè)擦除,但� NOR 技�(shù) Flash Memory 的塊�(jié)�(gòu)相比其頁(yè)尺寸�,具有快速隨�(jī)讀取和快編程、快擦除的特�(diǎn)�
?�?2 � � EEPROM 比較,具有明顯的成本�(yōu)�(shì)�
� 3 � 存儲(chǔ)密度� EEPROM �,但� NOR 技�(shù) Flash Memory 小,� Small Sector Flash Memory 的存�(chǔ)密度可達(dá)� 4Mb ,� 32Mb � DataFlash Memory 芯片有試用樣品提�。正�?yàn)檫@�(lèi)器件在性能上的靈活性和成本上的�(yōu)�(shì),使其在如今閃速存�(chǔ)器市�(chǎng)上仍占有一席之��
(1) 用作外存�(chǔ)器。由于閃速EEPROM的集成度已經(jīng)做得很高,因此利用它�(gòu)成存�(chǔ)卡已十分普遍。就以上述的28F040為例,利�4片這樣的芯片構(gòu)�2 MB存儲(chǔ)卡,完全可以替代軟磁�(pán),而且目前除價(jià)格稍高外,其他各方面都優(yōu)于軟磁盤(pán)�
目前已有許多廠家提供各種容量的存�(chǔ)�(包括�(shù)字相�(jī)中的存儲(chǔ)�、U�(pán)�),而且其接口總線也有標(biāo)�(zhǔn),例如USB、PCMCIA及下面將要提到的接口�
(2) 用作�(nèi)�。閃速EEPROM用作�(nèi)存時(shí),可用來(lái)存放程序或存放要求寫(xiě)入時(shí)間不受限制或不頻繁改變的�(shù)�(jù)�
維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��
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