VMOS管全稱V-groove metal-oxide semiconductor,或功率場效�(yīng)�,其全稱為V型槽MOS場效�(yīng)��
它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的。它不僅繼承了MOS場效�(yīng)管輸入阻抗高(≥108W�、驅(qū)動電流小(左�0.1μA左右�,還具有耐壓高(可耐壓1200V�、工作電流大�1.5A�100A�、輸出功率高�1�250W�、跨�(dǎo)的線性好、開�(guān)速度快等�(yōu)良特�。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)�(diǎn)集于一�,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)�(shù)千倍)、功率放大器、開�(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)��
眾所周知,傳�(tǒng)的MOS場效�(yīng)管的柵極、源極和漏極大致處于同一水平面的芯片�,其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同,其兩大�(jié)�(gòu)特點(diǎn):
、金屬柵極采用V型槽�(jié)�(gòu)�
第二、具有垂直導(dǎo)電�。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流�,而是自重?fù)诫sN+區(qū)(源極S)出�(fā),經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),垂直向下到�(dá)漏極D�
VMOS場效�(yīng)管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效�(yīng)�,其全稱為V型槽MOS場效�(yīng)�。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開�(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效�(yīng)管輸入阻抗高(≥108W�、驅(qū)動電�?。ㄗ�?.1μA左右),還具有耐壓高(可耐壓1200V�、工作電流大�1.5A�100A�、輸出功率高�1�250W)、跨�(dǎo)的線性好、開�(guān)速度快等�(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)�(diǎn)集于一�,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)�(shù)千倍)、功率放大器、開�(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)��
眾所周知,傳�(tǒng)的MOS場效�(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同,其兩大�(jié)�(gòu)特點(diǎn):,金屬柵極采用V型槽�(jié)�(gòu);第�,具有垂直導(dǎo)電�。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動,而是自重?fù)诫sN+區(qū)(源極S)出�(fā),經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),垂直向下到�(dá)漏極D。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,所以能通過大電�。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣�,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效�(yīng)��
?�?)判定柵極G
將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若�(fā)�(xiàn)某腳與其它兩腳的電阻均呈無窮�,并且交換表筆后仍為無窮�,則證明此腳為G極,�?yàn)樗土硗鈨蓚€管腳是絕緣��
?�?)判定源極S、漏極D
在源-漏之間有一個PN�(jié),因此根�(jù)PN�(jié)�、反向電阻存在差異,可識別S極與D�。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時黑表筆的是S�,紅表筆接D極�
?�?)測量漏-源通態(tài)電阻RDS(on�
將G-S極短�,選擇萬用表的R×1�,黑表筆接S極,紅表筆接D�,阻值應(yīng)為幾歐至十幾��
由于測試條件不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一�。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS�,RDS(on�=3.2W,大�0.58W(典型值)�
?�?)檢查跨�(dǎo)
將萬用表置于R×1k(或R×100)檔,紅表筆接S�,黑表筆接D�,手持螺絲刀去碰觸柵�,表針應(yīng)有明顯偏�(zhuǎn),偏�(zhuǎn)愈大,管子的跨導(dǎo)愈高�
?�?)VMOS管亦分N溝道管與P溝道�,但絕大多數(shù)�(chǎn)品屬于N溝道�。對于P溝道管,測量時應(yīng)交換表筆的位��
?�?)有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管,本檢測方法中�1�2�(xiàng)不再適用�
�3)目前市場上還有一種VMOS管功率模�,專供交流電�(jī)�(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模�,內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)�(gòu)�
?�?)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效�(yīng)�,其工作頻率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信號低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開�(guān)電路和廣�、通信�(shè)備中�
?�?)使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,功率才能達(dá)�30W�
?�?)場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效�(yīng)�;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件�,應(yīng)選用晶體��
?�?)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)�,所以稱之為單極型器�,而晶體管是即有多�(shù)載流�,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)�。被稱之為雙極型器件�
?�?)有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使�,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好�
�4)場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效�(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的�(yīng)� 為了防止場效�(yīng)管柵極感�(yīng)擊穿,要求一切測試儀�、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接�,先焊源�;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀�(tài),焊接完后才把短接材料去�;從元器件架上取下管�,應(yīng)以適�(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地�(huán) �;當(dāng)�,如果能采用先�(jìn)的氣熱型電烙�,焊接場效應(yīng)管是比較方便的,并且確保安全;在未關(guān)斷電源時,不可以把管插人電路或從電路中拔�。以上安全措施在使用場效�(yīng)管時必須注意�
�?yàn)榱魍ń孛娣e增大,所以能通過大電�。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣�,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效�(yīng)��
維庫電子�,電子知識,一查百��
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