�(dāng)PN�(jié)兩邊的摻雜濃度很高時,阻擋層將變很薄,在這種阻擋層中,載流子與中性原子相碰撞的機(jī)會極小,因而不容易�(fā)生碰� ... 顯然,場致激�(fā)能夠�(chǎn)出大量的載流�,使PN�(jié)的反向電流劇�,呈�(xiàn)反向擊穿�(xiàn)�,這種擊穿稱為齊納擊穿(因齊納研究而得名)。齊納擊穿一般發(fā)生在低反�、高摻雜的情況下�
齊納擊穿的物理過程與雪崩擊穿不同。當(dāng)反向電壓增大到一定值時,勢壘區(qū)�(nèi)就能建立起很�(qiáng)的電�,它能夠直接將束縛在共價鍵中的價電子拉出來,使勢壘區(qū)�(chǎn)生大量的電子-空穴�,形成較大的反向電流,產(chǎn)生擊�。把這種在強(qiáng)電場作用�,使勢壘區(qū)中原子直接激�(fā)的擊穿現(xiàn)象稱為齊納擊��
齊納擊穿一般發(fā)生在摻雜濃度較高的PN�(jié)�。這是因為摻雜濃度較高的PN�(jié),空間電荷區(qū)的電荷密度很�,寬度較�,只要加不大的反向電壓,就能建立起很�(qiáng)的電�,發(fā)生齊納擊穿�
一般說�,擊穿電壓小�6V時所�(fā)生的擊穿為齊納擊穿,高于6V時所�(fā)生的擊穿為雪崩擊��
利用齊納擊穿可做成穩(wěn)壓二極管,又叫齊納二極�.該二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器�.在這臨界擊穿點�,反向電阻降低到一個很少的�(shù)�,在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,�(wěn)壓二極管是根�(jù)擊穿電壓來分檔的,因為這種特�,�(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基�(zhǔn)元件使用.
�(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使�,通過串聯(lián)就可獲得更多的穩(wěn)定電�.
維庫電子通,電子知識,一查百��
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