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晶體二極�
閱讀�16512�(shí)間:2011-01-04 09:51:42

  晶體二極�是由PN�(jié)�(gòu)成的電子器件,其最主要的特性為單向?qū)щ娦浴V圃觳牧嫌墟N、硅及化合物半導(dǎo)�。晶體二極管主要依靠PN�(jié)�(lái)工作,可用來(lái)�(chǎn)�、控制、接�、變�、放大信�(hào)和�(jìn)行能量轉(zhuǎn)換等�

主要參數(shù)

  1 電阻

 ?、胖绷麟�?/FONT>

  在晶體二極管上加上一定的直流電壓V,就有一�(duì)那�(gè)的直流電流I,直流電壓V 與直流電流I 的比�,就是晶體二極管的等效直流電流�

 ?、苿?dòng)�(tài)電流

  在晶體二極管上加一定的直流電壓 V 的基�(chǔ)�,再加上一�(gè)增量電壓,則晶體二極管也有一�(gè)增量電流△I。增量電壓△V 與增量電流△I 的比值,就是晶體二極管的�(dòng)�(tài)電阻,即�(dòng)�(tài)電阻為晶體二極管兩端電壓變化與電流變化的比值�

  二極管的正向直流電阻和動(dòng)�(tài)電阻都是隨工作點(diǎn)的不同而發(fā)生變化的�

  普通晶體二極管反響�(yùn)�(dòng)�(shí),其直流電阻和動(dòng)�(tài)電阻都很�,通常可以盡是為無(wú)窮大�

  2 額定電流

  晶體二極管的額定電流是指晶體二極管長(zhǎng)�(shí)間連續(xù)工作�(shí),允許通過(guò)的正向平均電�。在二極管連續(xù)工作�(shí),為使PN �(jié)的溫度不超過(guò)某一極限�,整流電流不�(yīng)超過(guò)�(biāo)�(zhǔn)�(guī)定的允許��

  例如� 2AP1 的額定電流為 12mA; 2AP5 �16mA�2AP9 �5mA�

  �(duì)于大功率晶體二極�,為了降低它的溫度,增大電流,必須加裝散熱片�

  3 反向擊穿電壓

  反向擊穿電壓是指二極管在工作中能承受的反向電�,它也是使二極管不致反響擊穿的電壓極限�。在一般情況下,反向工作電壓應(yīng)小于反向擊穿電壓。選用晶體二極管�(shí),還要以反向工作電壓為準(zhǔn),并留有適當(dāng)余地,以保證二極管不�?lián)p�� 例如�2AP21 型二極管的反向擊穿電壓為 15V 反向工作電壓小于 10V�2AP26 的反向擊穿電壓為150V,反向工作電流小�100V�

  4 工作頻率

  工作頻率是指晶體二極管能正常工作的頻�。選用二極管�(shí),必須使它的工作頻率低于工作頻率� 例如� 2AP8BD 工作頻率�150MHz�2CZ12 的工作頻率為3kHz�2AP16 的工作頻率為40MHz�

分析方法

  D的伏安特�

  1、圖解分析法(Graphical Analysis�

二極管圖解分析法

  利用二極管曲線模�,特性曲線與管外電路方程(負(fù)載線)的交點(diǎn)Q,即為所求靜�(tài)工作�(diǎn)(IQ,VQ�

  2、簡(jiǎn)化分析法

  利用�(jiǎn)化電路模�

二極管簡(jiǎn)化分析法

  �(dāng) Vdd大于Vd(on� �(shí),D�(dǎo)�,電路模型如右�

  通常R>>RD,RD可忽�, D為恒壓模�

分類

  1、點(diǎn)接觸型二極管

  �(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針�,再通過(guò)電流法而形成的。因�,其PN�(jié)的靜電容量小,適用于高頻電路。但是,與面�(jié)型相比較,點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大電流和整流。因?yàn)�?gòu)造簡(jiǎn)�,所以價(jià)格便�。對(duì)于小信號(hào)的檢�、整�、調(diào)�、混頻和限幅等一般用途而言,它是應(yīng)用范圍較廣的類型�

  2、鍵型二極管

  鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細(xì)絲而形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型二極管和合金型二極管之�。與�(diǎn)接觸型相比較,雖然鍵型二極管的PN�(jié)電容量稍有增加,正向特性特別優(yōu)�。多作開(kāi)�(guān)用,有時(shí)也被�(yīng)用于檢波和電源整流(不大�50mA�。在鍵型二極管中,熔接金絲的二極管有�(shí)被稱金鍵型,熔接銀絲的二極管有�(shí)被稱為銀鍵型�

  3、合金型二極�

  在N型鍺或硅的單晶片�,通過(guò)合金銦、鋁等金屬的方法制作PN�(jié)而形成的。正向電壓降�,適于大電流整流。因其PN�(jié)反向�(shí)靜電容量�,所以不適于高頻檢波和高頻整��

  4、擴(kuò)散型二極�

  在高溫的P型雜�(zhì)氣體�,加熱N型鍺或硅的單晶片,使單晶片表面的一部變成P�,以此法PN�(jié)。因PN�(jié)正向電壓降小,適用于大電流整�。最�,使用大電流整流器的主流已由硅合金型�(zhuǎn)移到硅擴(kuò)散型�

  5、臺(tái)面型二極�

  PN�(jié)的制作方法雖然與�(kuò)散型相同,但是,只保留PN�(jié)及其必要的部�,把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺(tái)面形,因而得�。初期生�(chǎn)的臺(tái)面型,是�(duì)半導(dǎo)體材料使用擴(kuò)散法而制成的。因�,又把這種�(tái)面型稱為�(kuò)散臺(tái)面型。對(duì)于這一類型�(lái)�(shuō),似乎大電流整流用的�(chǎn)品型�(hào)很少,而小電流�(kāi)�(guān)用的�(chǎn)品型�(hào)卻很��

  6、平面型二極�

  在半�(dǎo)體單晶片(主要地是N型硅單晶片)�,擴(kuò)散P型雜�(zhì),利用硅片表面氧化膜的屏蔽作�,在N型硅單晶片上僅選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN�(jié)。因�,不需要為�(diào)整PN�(jié)面積的藥品腐蝕作�。由于半�(dǎo)體表面被制作得平�,故而得�。并�,PN�(jié)合的表面,因被氧化膜覆蓋,所以公�(rèn)為是�(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類�。最初,�(duì)于被使用的半�(dǎo)體材料是采用外延法形成的,故又把平面型稱為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言,似乎使用于大電流整流用的型�(hào)很少,而作小電流開(kāi)�(guān)用的型號(hào)則很��

  7、合金擴(kuò)散型二極�

  它是合金型的一�。合金材料是容易被擴(kuò)散的材料。把難以制作的材料通過(guò)巧妙�?fù)脚潆s�(zhì),就能與合金一起過(guò)�(kuò)�,以便在已經(jīng)形成的PN�(jié)中獲得雜�(zhì)的恰�(dāng)?shù)臐舛确植?。此法適用于制造高靈敏度的�?nèi)荻O管�

  8、外延型二極�

  用外延面�(zhǎng)的過(guò)程制造PN�(jié)而形成的二極�。制造時(shí)需要非常高超的技�(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布,故適宜于制造高靈敏度的�?nèi)荻O��

�(yīng)�

  一、整流(利用單向?qū)щ娦裕?/FONT>

  將交流電�?yōu)閱螛O性電壓,稱為整流。圖為二極管半波整流電路。若二極管為理想二極�,當(dāng)輸入一正弦�,正半周�(shí),二極管�(dǎo)�(相當(dāng)�(kāi)�(guān)閉合),vo=vi;負(fù)半周�(shí),二極管截止(相當(dāng)�(kāi)�(guān)打開(kāi))� vo =0�

晶體二極管整流電路

  �、穩(wěn)壓電�

  利用�(wěn)壓二極管可以�(gòu)成穩(wěn)壓電路和限幅電路�

  �(wěn)壓電路如圖所�。圖中VI為有波動(dòng)的輸入電�,并滿足VI >VZ。R為限流電�,RL為負(fù)��

晶體二極管穩(wěn)壓電路

維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��

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