�?nèi)?a href="http://www.3575.com.cn/1720.html" target="_blank">二極�是根�(jù)普通二極管�(nèi)� �PN�(jié)� 的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設計出來的一種特殊二極管。變?nèi)荻O管在無繩電話�中主要用在手機或座機的高頻調(diào)制電路上,實�(xiàn)低頻信號�(diào)制到高頻信號�,并�(fā)射出去。在工作狀�(tài),變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負極上,使�?nèi)荻O管的�(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電壓的變化而變��
�?nèi)荻O管又�"可變電抗二極�"。所用材料多為硅或砷化鎵單晶,并采用外延工藝技�。反偏電壓愈�,則�(jié)電容愈小。變?nèi)荻O管具有與襯底材料電阻率有關的串聯(lián)電阻�
� 是變?nèi)荻O管的電路圖形符號�
�?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管,改變其PN�(jié)上的反向偏壓,即可改變PN�(jié)電容�。反向偏壓越�,結(jié)電容則越�,反向偏壓與�(jié)電容之間的關系是非線性的�
�?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝(玻封)、塑料封裝(塑封�、金屬外殼封裝(金封)和無引線表面封裝等多種封裝形式、如圖所�。通常,中小功率的�?nèi)荻O管采用玻封、塑封或表面封裝,而功率較大的�?nèi)荻O管多采用金封�
�1 �?nèi)荻O管的�(gòu)造原�、簡化等效電路及電路符號
�?nèi)荻O管的�(gòu)造原理參見圖1(a)。從本質(zhì)上講,它屬于反偏壓的二極�,其�(jié)電容就是耗盡層的電容??山品春谋M層視為平行板電容器,兩個導電板之間有介�(zhì)。因�,結(jié)電容C1的容量與耗盡層的寬度d成反�,有公式C1�1/d,又因為d與反向偏壓VR的n次方成正比(n是與摻雜濃度有關的常�(shù)�,故C1�1/VRn,因�,反向偏壓愈高,耗盡區(qū)就愈�,而結(jié)電容量愈�。反之亦��(a)圖中,VR1>VR2,故d2>d1,Cj2<Cj1�
�?nèi)荻O管的簡化等效電路及電路符號分別如�1(b)�(c)所�。圖中用一只可變電容來表示�(jié)電容。R2是半導體材料的電��
選擇500型萬用表的R×1k檔。首先將紅表筆接一端,黑表筆接另一�,若測得電阻值為6.5kΩ,與此同時記下表針倒數(shù)偏轉(zhuǎn)格數(shù)n′≈19.7�。然后交換管腳位置后重新測量,電阻值變成無窮大。由此判定次為正向接�,正向電阻為6.5kΩ,正�?qū)妷篤F=0.03V/格�9.7�=0.59V。第二次則屬于反向接�。該管子具有單向?qū)щ�?,并且靠近紅色環(huán)的管腳為正極。欲測量�?nèi)荻O管的�(jié)電容,可選用100pF量程的線性電容表�
①反向工作電壓VR:是指加在�?nèi)荻O管兩端的反向電壓不能超過的電壓允許��
②反向擊穿電壓VB�:在施加反向電壓的情況�,使�?nèi)荻O管擊穿的電壓�
?、劢Y(jié)電容C:它是指在一特定的反偏壓下,�?nèi)荻O管內(nèi)部PN�(jié)的電��
?、芙Y(jié)電容變化范圍:在工作電壓范圍內(nèi)�(jié)電容的變化范��
?、蓦娙荼?是指�(jié)電容變化范圍�(nèi)的電容與最小電容之比�
?、轖�:是變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù),它反映了對回路能量的損耗�
�?nèi)荻O管發(fā)生故�,主要表�(xiàn)為漏電或性能變差�
?�?)發(fā)生漏電現(xiàn)象時,高頻調(diào)制電路將不工作或�(diào)制性能變差�
?�?)變?nèi)菪阅茏儾顣r,高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)�,使�(diào)制后的高頻信號發(fā)送到對方被對方接收后�(chǎn)生失��
出現(xiàn)上述情況之一�,就應該更換同型號的�?nèi)荻O��
維庫電子�,電子知�,一查百��
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