掃描電容顯微鏡是通過(guò)在原子力顯微鏡(AFM�探針上導(dǎo)電涂層并掃描半導(dǎo)�表面�(lái)�(cè)量電容的變化,從而對(duì)載流子分布�(jìn)行二維可視化。當(dāng)AFM探針與半�(dǎo)體接觸時(shí),接觸位置變?yōu)镸OS�(jié)�(gòu),該MOS�(jié)�(gòu)被認(rèn)為是其中半導(dǎo)體表面上的氧化膜的電容C Ox與半�(dǎo)體的電容C D連接的系�(tǒng)。當(dāng)施加V AC(最�100kHz)時(shí),由于在探頭正下方的半導(dǎo)體中的載流子振動(dòng),組合電容C�(huì)波動(dòng)�
掃描電容顯微�
由于這種變化的幅度取決于探頭正下方的載流子濃�,因此在掃描探頭�(shí),通過(guò)�(cè)量由組合電容C的變化⊿C�(chǎn)生的高頻諧振�的調(diào)制信�(hào),可以二維測(cè)量載流子分布??梢钥梢�?通過(guò)比較V AC和V OUT的相位來(lái)確定半導(dǎo)體的P / N極��
�(kuò)散層p/n極性的�(cè)�
LSI局部區(qū)域的�(kuò)散層形狀�(píng)�(jià)
半導(dǎo)體元件(例如雙極晶體�,二極管,DMOS和IGBT)的�(kuò)散層形狀�(píng)�
半導(dǎo)體元件缺陷部位的�(kuò)散層形狀�(píng)估,例如注入異常和泄漏缺�