功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容，書中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí)，作為長(zhǎng)期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專家，作者還給出了上述各類器件在不同工作條件下的比較分析，力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。
    《功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用》既可以作為電氣工程專業(yè)、自動(dòng)化專業(yè)本科生和研究生的教學(xué)用書，也可作為電力電子領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考用書。

    斯提萬·林德，1965年出生于瑞士日內(nèi)瓦，1990年在瑞士聯(lián)邦工學(xué)院（EHT）完成了電氣工程的本科教育。他在美國(guó)工作一段時(shí)間后，于1991年回到瑞士蘇黎世，在聯(lián)邦工學(xué)院開始作為研究生從事的研究工作。他在1996年獲得博士學(xué)位后不久，加入YABB公司，成為功率半導(dǎo)體事業(yè)部的研發(fā)工程師。在ABB公司，他主要負(fù)責(zé)集成門極換流晶體管（IGCT）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的設(shè)計(jì)和開發(fā)工作。從2000年1月開始，林德博士開始擔(dān)任ABB公司研發(fā)副總裁。

    譯者序
    原書前言
    第1章　半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
    第2章　pn結(jié)
    第3章　pin二極管
    第4章　雙極型晶體管
    第5章　晶閘管
    第6章　門極關(guān)斷（GTO）晶閘管與門極換流晶閘管（GCT）/集成門極換流晶閘管
    第7章　功率MOSFET
    第8章　IGBT
    附錄
    參考文獻(xiàn)
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