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3D IC
閱讀�1397時間�2020-11-04 16:42:35

3D IC產業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術主�,分別是前段(Front-end)、中�(Middle-end)及后�(Backend)�

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3D IC

3D IC產業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術主軸,分別是前�(Front-end)、中�(Middle-end)及后�(Backend)。前段制程涵蓋芯片前�CMOS制程、晶圓穿�、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負�。為了日后芯片堆疊需�,TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布�(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱之為中段,可由晶圓廠或封測廠負責�

后段則是封裝測試制程,包括晶圓切�、芯片堆�、覆晶、覆晶強�(Underfill)、高分子封模(Molding)、雷射印碼等� 在芯片堆疊技術中,有晶圓-晶圓堆疊(Wafer-to-Wafer Stacking)、芯�-晶圓堆疊(Die-to-Wafer Stacking)、芯�-芯片堆疊(Die-to-Die Stacking)�3�。透過薄化TSV芯片堆疊將可充分利用厚度方向�(yōu)�,實�(xiàn)高傳輸速度、芯片級微型化封�,滿足可攜式電子產品�、薄趨勢�

維庫電子�,電子知�,一查百��

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