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異質(zhì)�(jié)雙極型晶體管
閱讀�10455時間�2020-10-10 17:27:40

�(fā)射區(qū)、基區(qū)和收集區(qū)由禁帶寬度不同的材料制成�晶體�。W.B.肖克萊于1951年提出這種晶體�的概��70年代中期,在解決了砷化鎵的外延生長問題之�,這種晶體管才得到較快的發(fā)�。最初稱為“寬�(fā)射區(qū)”晶體管。其主要特點是發(fā)射區(qū)材料的禁帶寬度EgE大于基區(qū)材料的禁帶寬度EgB�

簡介

    異質(zhì)�(jié)雙極型晶體管(Heterojunction bipolar transistor,HBT)是在雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)的基�(chǔ)上,只是把發(fā)射區(qū)改用寬帶隙的半導體材�,即同質(zhì)的發(fā)射結(jié)采用了異�(zhì)�(jié)來代替�
    由于異質(zhì)�(jié)能帶的不連續(xù)性(帶隙的能量差ΔEg = 價帶頂能量突變ΔEv +導帶底能量突變ΔEc�,對n-p-n BJT,較大的ΔEv對于基區(qū)往�(fā)射區(qū)注入的空穴有阻擋作用,則寬帶隙發(fā)射區(qū)異質(zhì)�(jié)的注射效率接�1(即只有電子從發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)�,并且注射效率與�(fā)射區(qū)和基區(qū)的摻雜濃度無�(guān)�
    HBT的最大優(yōu)點就在于�(fā)射結(jié)的注射效� (放大系數(shù)) 基本上與�(fā)射結(jié)兩邊的摻雜濃度無�(guān), 從而可把基區(qū)的摻雜濃度做得很�(甚至比發(fā)射區(qū)的還�), 這就可以在保證放大系�(shù)很大的前提下來提高頻�, 從而能進入毫米波段?,F(xiàn)在HBT是能夠工作在超高頻和超高速的一種重要的有源器件�
    HBT的最大電流增益可表示� (不考慮基區(qū)復合)βmax = IEn / IEp � exp[ΔEg / kT] ,則HBT與一般BJT的最大電流增益之比完全由帶隙的能量差來決定:βmax (HBT) / βmax (BJT) = exp[ΔEg / kT] �
    通常取ΔEg>250 meV, 則HBT的增益可比BJT的提�10�4次方倍�
    對于一般的BJT,為了進一步提高頻率和速度,就要求減小基極電�、減小發(fā)射結(jié)電容和減小寄生電容。而一般的BJT,為了提高注射效�, 需要盡可能降低基區(qū)摻雜濃度NB和提高發(fā)射區(qū)摻雜濃度NE,使比� (NB/NE) 降低�
    但是由于�(fā)射區(qū)重摻雜會引起禁帶寬度變窄和Auger復合顯著, 反而使注射效率降低,同時也會使�(fā)射結(jié)電容增大;而且基區(qū)摻雜濃度也不能太�,否則會使基極電阻增�。所以采用降低比�(NB/NE)的方法來提高�(fā)射結(jié)注射效率的作用是很有限的,而且提高放大能力與提高頻率和速度是互相矛盾的�
    也因此一般的BJT在實�(xiàn)超高�、超高速上遇到了不可克服的困難。而異�(zhì)�(jié)BJT(HBT)是一種新型結(jié)�(gòu)的重要器件,它克服了頻率、速度與放大系�(shù)之間的矛盾,從而可實現(xiàn)超高頻和超高��

制作方法

在高濃度n型第一子集電極�(102)上,依次形成:由能帶隙小的材料構(gòu)成的高濃度n型第二子集電極層(108);由i型或者低濃度n型集電極�(103);高濃度p型基極層(104);由能帶隙大的材料構(gòu)成的n型發(fā)射極�(105);高濃度n型發(fā)射極蓋體�(106);由能帶隙小的材料構(gòu)成的高濃度n型發(fā)射極接觸�(107)。發(fā)射極電極(111)、基極電�(112)、以及集電極電極(113)的各自的下側(cè)形成合金化反應層(114)�(116)。由此,基于本發(fā)明的異質(zhì)�(jié)雙極型晶體管,不僅可以降低制造成�,還能夠?qū)崿F(xiàn)各電極的良好的歐姆特性�

基本特征

一種異�(zhì)�(jié)雙極型晶體管,其特征在于,具備以下各部分:高濃度n型第一子集電極�;形成于所述第一子集電極層上,且由與所述第一子集電極層相比能帶隙更小的材料構(gòu)成的高濃度n型第二子集電極層;形成于所述第二子集電極層的規(guī)定部分上的i型或者低濃度n型集電極�;形成于所述集電極層上的高濃度p型的基極�;形成于所述基極層�,且由與所述基極層相比能帶隙更大的材料�(gòu)成的n型發(fā)射極�;形成于所述發(fā)射極層上的規(guī)定部分上的高濃度n型發(fā)射極蓋體層;形成于所述發(fā)射極蓋體層上,且由與所述發(fā)射極蓋體層相比能帶隙更小的材料構(gòu)成的高濃度n型發(fā)射極接觸層;形成于所述發(fā)射極接觸層上,且由一個或者多個導電層�(gòu)成的�(fā)射極電極;形成于所述發(fā)射極層的未形成所述發(fā)射極蓋體層的部分�,且由一個或者多個導電層�(gòu)成的基極電極;形成于所述第二子集電極層上的未形成所述集電極層的部分�,且由一個或者多個導電層�(gòu)成的集電極電�,其�,在所述發(fā)射極接觸層的所述發(fā)射極電極的下�(cè)部分,形成第一合金化反應層;在所述發(fā)射極層的所述基極電極的下側(cè)部分,形成第二合金化反應�;在所述第二子集電極層的所述集電極電極的下�(cè)部分,形成第三合金化反應��

主要�(yōu)�

HBT具有以下�(yōu)點:①基區(qū)可以高摻� (可高�1020/cm3),則基區(qū)不易穿�,從而基區(qū)厚度可以很小 (則不限制器件尺寸的縮�);②因為基區(qū)高摻�,則基區(qū)電阻很小,最高振蕩頻率fmax得以提高;③基區(qū)電導�(diào)制不明顯,則大電流密度時的增益下降不大;④基區(qū)電荷對C�(jié)電壓不敏�,則Early電壓得以提高;⑤�(fā)射區(qū)可以低摻� ( �1017/cm3),則�(fā)射結(jié)勢壘電容降低,晶體管的特征頻率fT提高;⑥可以做成基區(qū)組分緩變的器件,則基區(qū)中有�(nèi)建電�,從而載流子渡越基區(qū)的時間τB得以減短。總�,HBT的高頻、高速性能以及大功率等性能都較�(yōu)�。它與HEMT一起都是重要的毫米波有源器件以及毫米波IC的基�(chǔ)器件�

變異�(zhì)�(jié)

異質(zhì)�(fā)射結(jié)最好是采用緩變異質(zhì)�(jié)。可以用作為HBT�(fā)射結(jié)的幾種異�(zhì)�(jié)(舉例):①AlGaAs/GaAs異質(zhì)�(jié)的晶格匹配很�,容易實�(xiàn)微波與光電器件及其IC;②InP/InGaAs � InAlAs/InGaAs異質(zhì)�(jié)的晶格能匹配,其中InGaAs的電子遷移率很高 (GaAs�1.6倍,是Si�9�);③Si/SiGe
異質(zhì)�(jié)的晶格不匹配, 但可采用應變� (厚度<0.2μm) 來進行彈性調(diào)節(jié)�,而且在很大程度上這種異質(zhì)�(jié)器件的工藝與硅工藝兼容,由于Si和SiGe的ΔEg≈ΔEv , 則Si/SiGe異質(zhì)�(jié)對n-p-n型的HBT有利�

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