只讀存儲(chǔ)�(ROM)是一�半導(dǎo)�集成電路的功能作為數(shù)�(jù)和計(jì)算機(jī)編程的存�(chǔ)�(shè)備�
只讀存儲(chǔ)器(簡稱ROM)所存數(shù)�(jù),一般是在裝入整�(jī)前事先寫好的。整�(jī)工作過程中只能從只讀存儲(chǔ)器中讀出事先存�(chǔ)的數(shù)�(jù),而不象隨�(jī)存儲(chǔ)器那樣能快速地、方便地加以改寫。由� ROM所存數(shù)�(jù)比較�(wěn)�、不易改�、即使在斷電后所存數(shù)�(jù)也不�(huì)改變;其�,它的結(jié)�(gòu)也比較簡�,讀出又比較方便,因而常用于存儲(chǔ)各種固定程序和數(shù)�(jù)�
半導(dǎo)體只讀存儲(chǔ)器中的存�(chǔ)單元為一�(gè)半導(dǎo)體器�,如二極管、雙極型晶體管或MOS型晶體管,它位于字線和位線交叉�。以增強(qiáng)型N溝道MOS晶體管為例,其柵引出線接字線,漏引出線接位�,源引出線接地。當(dāng)字線為高電平�(shí),晶體管導(dǎo)通,位線輸出低電�(邏輯�0�)。若交叉�(diǎn)處沒有連接晶體�,則位線被負(fù)載晶體管拉向高電�(邏輯�1�)。其他未選中的字線都處于低電�,所有掛在字線上的晶體管都是不導(dǎo)通的,所以不影響位線的輸出電平。這樣,以字線和位線交叉點(diǎn)是否連有晶體管來決定該點(diǎn)(存儲(chǔ)單元)存儲(chǔ)的數(shù)�(jù)是�0”還是�1��
只讀存儲(chǔ)器所存儲(chǔ)的數(shù)�(jù)功能,是以在制造過程中所用掩模決定的,所以也稱掩模只讀存儲(chǔ)�。實(shí)際應(yīng)用中除了少數(shù)品種的只讀存儲(chǔ)器(如字符發(fā)生器等)可以通用之外,不同用戶所需只讀存儲(chǔ)器的�(nèi)容是不相同的。為便于用戶使用,又適于工業(yè)化大批量生產(chǎn),后來出�(xiàn)了可編程序的只讀存儲(chǔ)�。其電路�(shè)�(jì)是在每�(gè)存儲(chǔ)單元(如肖特基二極管)上都串接一熔絲。正常工作狀�(tài)�,熔絲起�(dǎo)線作�;當(dāng)在與之相連的字線、位線上加大工作偏壓�(shí),熔絲被熔斷。用這種辦法,用戶可以自己編寫并存儲(chǔ)所需的數(shù)�(jù)�
可編程序只讀存儲(chǔ)器的任一單元都只能寫一次,這還是很不方便的。為了解決這一問題,又出現(xiàn)了可擦可編程序只讀存儲(chǔ)�。這種存儲(chǔ)器采用最多的是浮柵雪崩注� MOS單元。當(dāng)在選定單元的源引出線或漏引出線上加足夠高的電壓使器件�(fā)生雪崩擊穿時(shí),高能熱電子穿過柵氧化層注入到懸浮柵上去,使浮柵帶電,從而改變溝道導(dǎo)通狀�(tài),達(dá)到寫入的目的:擦去是通過紫外光照射完成的。紫外光的照射使懸浮柵上的電子能得到足夠能量穿透柵氧化層勢(shì)�,從而使浮柵消除帶電狀�(tài)�
電可改寫的只讀存儲(chǔ)器是新出�(xiàn)的一種只讀存儲(chǔ)�。它的原理是在強(qiáng)電場(chǎng)作用�,通過隧道效應(yīng)將電子注入到浮柵上去,或反過來將電子從浮柵上拉走。這樣,就可以通過電學(xué)方法方便地對(duì)只讀存儲(chǔ)器�(jìn)行擦和寫�
可擦可編程序只讀存儲(chǔ)器的寫入速度比較�,每位寫入速度約需幾十至幾百毫�,寫完整片存�(chǔ)器需要幾十到幾百秒:擦去速度則更�,在一般紫外光源照射下需幾十分鐘。電可改寫只讀存儲(chǔ)器擦、寫速度比之讀出速度尚慢好幾�(gè)�(shù)量級(jí)�
半導(dǎo)體只讀存儲(chǔ)器可以分為以下四種:掩膜式ROM(MROM�,一次可編程ROM(PROM),可擦除可編程ROM(EPROM),閃速存�(chǔ)��
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