混合集成電路是由半導(dǎo)�集成工藝�?。ê瘢┠すに嚱Y(jié)合而制成的集成電路?;旌霞呻娐肥窃诨嫌贸赡し椒ㄖ谱骱衲せ虮∧ぴ捌浠ミB�,并在同一基片上將分立�半導(dǎo)體芯�、單片集成電路或微型元件混合組裝,再外加封裝而成。與分立元件電路相比,混合集成電路具有組裝密度大、可靠性高、電性能好等特點(diǎn)。相�(duì)于單片集成電路,它設(shè)�(jì)靈活,工藝方�,便于多品種小批量生�(chǎn);并且元件參�(shù)范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好,可以承受較高電壓和較大功率�
混合集成電路是將一�(gè)電路中所有元件的功能部分集中在一�(gè)基片上,能基本上消除電子元件中的輔助部分和各元件間的裝配空隙和焊�(diǎn),因而能提高電子�(shè)備的裝配密度和可靠�。由于這�(gè)�(jié)�(gòu)特點(diǎn),混合集成電路可�(dāng)作分布參�(shù)�(wǎng)�(luò),具有分立元件網(wǎng)路難以達(dá)到的電性能?;旌霞呻娐返牧硪粋�(gè)特點(diǎn),是改變�(dǎo)�、半�(dǎo)體和介質(zhì)三種膜的序列、厚�、面積、形狀和性質(zhì)以及它們的引出位置得到具有不同性能的無(wú)源網(wǎng)��
制造混合集成電路常用的成膜技�(shù)有兩種:�(wǎng)印燒�(jié)和真空制膜。用前一種技�(shù)制造的膜稱為厚�,其厚度一般在15微米以上,用后一種技�(shù)制造的膜稱為薄�,厚度從幾百到幾千埃。若混合集成電路的無(wú)源網(wǎng)路是厚膜�(wǎng)�,即稱為厚膜混合集成電路;若是薄膜網(wǎng)�,則稱為薄膜混合集成電路。為了滿足微波電路小型化、集成化的要�,又有微波混合集成電�。這種電路按元件參�(shù)的集中和分布情況,又分為集中參數(shù)和分布參�(shù)微波混合集成電路。集中參�(shù)電路在結(jié)�(gòu)上與一般的厚薄膜混合集成電路相�,只是在元件尺寸精度上要求較�。而分布參�(shù)電路則不�,它的無(wú)源網(wǎng)路不是由外觀上可分辨的電子元件構(gòu)�,而是全部由微帶線�(gòu)成。對(duì)微帶線的尺寸精度要求較高,所以主要用薄膜技�(shù)制造分布參�(shù)微波混合集成電路�
為便于自�(dòng)化生�(chǎn)和在電子�(shè)備中緊密組裝,混合集成電路的制造采用標(biāo)�(zhǔn)化的絕緣基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基�,可將一�(gè)或幾�(gè)功能電路制作在一塊基片上。制作過(guò)程是先在基片上制造膜式無(wú)源元件和互連線,形成無(wú)源網(wǎng)�(luò),然后安裝上半導(dǎo)體器件或半導(dǎo)體集成電路芯�。膜式無(wú)源網(wǎng)�(luò)用光刻制版和成膜方法制造。在基片上按照一定的工藝順序,制造出具有各種不同形狀和寬度的�(dǎo)體、半�(dǎo)體和介質(zhì)�。把這些膜層相互組合,構(gòu)成各種電子元件和互連線。在基片上制作好整�(gè)電路以后,焊上引出導(dǎo)�,需要時(shí),再在電路上涂覆保�(hù)�,用外殼密封即成為一�(gè)混合集成電路�
混合集成電路的應(yīng)用以模擬電路、微波電路為主,也用于電壓較�、電流較大的�(zhuān)用電路中。例如便攜式電臺(tái)、機(jī)載電�(tái)、電子計(jì)算機(jī)和微處理器中的數(shù)�(jù)�(zhuǎn)換電�、數(shù)-模和�-�(shù)�(zhuǎn)換器�。在微波�(lǐng)域中的應(yīng)用尤為突��
混合集成技�(shù)的發(fā)展趨�(shì)是:①用多層布線和載帶焊技�(shù),對(duì)單片半導(dǎo)體集成電路�(jìn)行組裝和互連,�(shí)�(xiàn)二次集成,制作復(fù)雜的多功�、高密度大規(guī)?;旌霞呻娐?。②�(wú)源網(wǎng)路向更密�、更精密、更�(wěn)定方面發(fā)�,并且將敏感元件集成在它的�(wú)源網(wǎng)路中,制造出集成化的傳感�。③研制大功�、高電壓、耐高溫的混合集成電路。④改�(jìn)成膜技�(shù),使薄膜有源器件的制造工藝實(shí)用化。⑤用帶互連線的基片組裝微型片狀�(wú)引線元件、器�,以降低電子�(shè)備的�(jià)格和改善其性能�
維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��
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