快閃存儲�(flash EPROM)是電子可擦除可編程只讀存儲�(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)的一種形�??扉W存儲器允許在操作中多次擦�?qū)?,并具有非易失性,即單指保�?shù)�(jù)而言,它并不需要耗電??扉W存儲器和傳統(tǒng)的EEPROM不同在于它是以較大區(qū)塊進行�(shù)�(jù)抹擦,而傳�(tǒng)的EEPROM只能進行擦除和重寫單個存儲位�。這就使得快閃在寫入大量數(shù)�(jù)時具有顯著地�(yōu)��
閃存具有較快的讀取速度,其讀取時間小�100ns,這個速度可以和主存儲器相�。但是由于它的寫入操作比較復�,花費時間較�。而與硬盤相比,閃存的動態(tài)抗震能力更強,因此它非常適合用于移動�(shè)備上,例如筆記本電腦、相機和手機�。閃存的一個典型應(yīng)用USB盤已�(jīng)成為計算機系�(tǒng)之間傳輸�(shù)�(jù)的流行手��
限制之一:區(qū)塊擦�
作為新型的EEPROM,閃存擦除已保存的數(shù)�(jù)不是以單個存儲位置為單位,而必須是以一個區(qū)塊為單位進行。也就是�,閃存支持隨機讀取和寫入,但是不允許隨機改寫。一般來說都是設(shè)置某一區(qū)中的所有位為�1�,剛開始區(qū)塊內(nèi)的所有部份都可以寫入,然而當有任何一個位被設(shè)為�0”時,就只能借由清除整個區(qū)塊來回復�1”的狀�(tài)�
限制之二:有限次的擦�
閃存的擦除次�(shù)有有�,從10 000次到1百萬次不�。盡管可以通過耗損平衡以及壞區(qū)管理等技�(shù)延長其使用壽�,但是這個限制也決定了閃存不適用于大量數(shù)�(jù)讀寫循�(huán)的高可靠性數(shù)�(jù)存儲�(yīng)��