在高溫的P型雜�(zhì)氣體�,加熱N型鍺或硅的單晶片,使�晶片表面的一部變成P�,以此法PN�(jié)。因PN�(jié)正向電壓降小,適用于大電流整流。最�,使用大電流整流�的主流已由硅合金型轉(zhuǎn)移到硅擴散型�
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