ZXMP6A13FTA�-60V P溝道增強(qiáng)型MOSFET具有無光澤鍍錫引�。端子可以按� MIL-STD-202 方法 208 �(jìn)行焊接。該 MOSFET 采用�(dú)特的�(jié)�(gòu),結(jié)合了低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的優(yōu)�(diǎn),使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。外殼由模制塑料 (UL94V-0) 制成�
ZXMP6A13FTA�-60V P溝道增強(qiáng)型MOSFET具有無光澤鍍錫引�。端子可以按� MIL-STD-202 方法 208 �(jìn)行焊�。該 MOSFET 采用�(dú)特的�(jié)�(gòu),結(jié)合了低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的優(yōu)�(diǎn),使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。外殼由模制塑料 (UL94V-0) 制成�
快速開�(guān)速度
低輸入電�
低柵極電�
完全無鉛且完全符合RoHS�(biāo)�(zhǔn)(注釋1�2)
無鹵素和�?!熬G色”裝�(注釋3)
符合AEC-Q101高可靠�
PPAP�(biāo)�(zhǔn)(注釋4)
旅游電壓(DC)�-60.0 �
旅行電流�-1.10 �
通道�(shù)�
針腳�(shù)�
漏源極點(diǎn)�400毫歐
魅力:P-通道
耗散功率�625 兆瓦
閾值電壓:3�
輸入電容�219 pF
漏源極電�(Vds)�60�
漏源擊穿電壓�60�
柵源擊穿電壓:�20.0V
連續(xù)不斷電流(Ids)�1.10 �
上升�(shí)間:2.2 納秒
輸入電容(Ciss)�219pF @30V(Vds)
攻擊功率(Max)�625 兆瓦
下降�(shí)間:5.7 納秒
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�806 兆瓦
安裝方式:表面貼�
面對(duì)�(shù)�
封裝:SOT-23-3
長度�3.04 毫米
橫:1.4 毫米
高度�1.02 毫米