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ZXMP6A13FTA 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2022/9/28 15:12:33 查看 閱讀�1415

    ZXMP6A13FTA�-60V P溝道增強(qiáng)型MOSFET具有無光澤鍍錫引�。端子可以按� MIL-STD-202 方法 208 �(jìn)行焊接。該 MOSFET 采用�(dú)特的�(jié)�(gòu),結(jié)合了低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的優(yōu)�(diǎn),使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。外殼由模制塑料 (UL94V-0) 制成�

概述

    ZXMP6A13FTA�-60V P溝道增強(qiáng)型MOSFET具有無光澤鍍錫引�。端子可以按� MIL-STD-202 方法 208 �(jìn)行焊�。該 MOSFET 采用�(dú)特的�(jié)�(gòu),結(jié)合了低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的優(yōu)�(diǎn),使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。外殼由模制塑料 (UL94V-0) 制成�

特�

    快速開�(guān)速度

    低輸入電�

    低柵極電�

    完全無鉛且完全符合RoHS�(biāo)�(zhǔn)(注釋1�2)

    無鹵素和�?!熬G色”裝�(注釋3)

    符合AEC-Q101高可靠�

    PPAP�(biāo)�(zhǔn)(注釋4)

參數(shù)

    旅游電壓(DC)�-60.0 �

    旅行電流�-1.10 �

    通道�(shù)�

    針腳�(shù)�

    漏源極點(diǎn)�400毫歐

    魅力:P-通道

    耗散功率�625 兆瓦

    閾值電壓:3�

    輸入電容�219 pF

    漏源極電�(Vds)�60�

    漏源擊穿電壓�60�

    柵源擊穿電壓:�20.0V

    連續(xù)不斷電流(Ids)�1.10 �

    上升�(shí)間:2.2 納秒

    輸入電容(Ciss)�219pF @30V(Vds)

    攻擊功率(Max)�625 兆瓦

    下降�(shí)間:5.7 納秒

    工作溫度(Max)�150�

    工作溫度(Min)�-55�

    耗散功率(Max)�806 兆瓦

    安裝方式:表面貼�

    面對(duì)�(shù)�

    封裝:SOT-23-3

    長度�3.04 毫米

    橫:1.4 毫米

    高度�1.02 毫米

引腳圖與功能


ZXMP6A13FTA引腳圖

zxmp6a13fta推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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zxmp6a13fta資料 更多>

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zxmp6a13fta參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C900mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫歐 @ 900mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5.9nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds219pF @ 30V
  • 功率 - 最�625mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱ZXMP6A13FTR