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時(shí)間：2025/5/21 13:16:05
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ZXMN7A11G 是一款由 Infineon（英飛凌）生產(chǎn)的 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，適用于多種開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等應(yīng)用場合。
其封裝形式為 SOT-223，這種封裝提供了良好的散熱性能和較高的電流承載能力。由于其較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特性，ZXMN7A11G 在各種高效能設(shè)計(jì)中得到了廣泛應(yīng)用。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：4.5A
導(dǎo)通電阻：95mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 時(shí)）
柵極電荷：4nC（典型值）
開關(guān)時(shí)間：開啟延遲時(shí)間：8ns，關(guān)閉延遲時(shí)間：18ns（典型值）
ZXMN7A11G 的主要特點(diǎn)是其出色的導(dǎo)通特性和開關(guān)速度。它的低導(dǎo)通電阻能夠顯著降低功率損耗，從而提高整體系統(tǒng)效率。
此外，它支持邏輯電平驅(qū)動(dòng)，使得該器件可以直接與微控制器或其他邏輯電路配合使用而無需額外的驅(qū)動(dòng)電路。同時(shí)，SOT-223 封裝保證了較好的熱管理和電氣性能，適合在緊湊型設(shè)計(jì)中使用。
其工作溫度范圍從 -55°C 到 +150°C，適應(yīng)于廣泛的工業(yè)環(huán)境條件。
ZXMN7A11G 廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
- 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
- 工業(yè)自動(dòng)化中的負(fù)載切換
- 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理
- LED 驅(qū)動(dòng)和背光控制
其低功耗和高效率特點(diǎn)使其非常適合需要高性能和可靠性的應(yīng)用場景。
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