時間：2025/5/28 16:44:05
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ZXMN6A25N8TA 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET 芯片。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，非常適合用于需要高效能功率轉(zhuǎn)換的場景。它廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制和通信設(shè)備等領(lǐng)域。
最大漏源電壓：30V
最大柵源電壓：±12V
連續(xù)漏極電流：6A
導(dǎo)通電阻（典型值）：2.5mΩ
總功耗：9W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-263
ZXMN6A25N8TA 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻，從而減少了功率損耗并提升了效率；快速開關(guān)性能使得其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異；同時具備良好的熱穩(wěn)定性，能夠適應(yīng)各種惡劣的工作環(huán)境。此外，該器件還具有較低的輸入電容和輸出電容，有助于減少開關(guān)損耗。
該 MOSFET 集成了保護(hù)功能，如防止過流和過溫等，從而提高了系統(tǒng)的可靠性。其堅固的設(shè)計也使其成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇。
ZXMN6A25N8TA 可用于多種領(lǐng)域，包括但不限于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、負(fù)載開關(guān)、電源管理模塊、電池保護(hù)電路以及音頻功率放大器等。由于其出色的電氣特性和可靠性，它特別適合于需要高性能功率處理的應(yīng)用場景。
ZXMN6A24N8TA
ZXMN6A25N6TA
