ZXMN6A11G是一款由英飛凌(Infineon)生產的N溝道增強型MOSFET功率晶體�。該器件采用TO-220封裝形式,適用于高功率開關應用場��
這種MOSFET以其低導通電阻和高速開關特性著稱,適合用于工業(yè)、汽車和消費類電子中的各種電源管理和驅動電路。其耐壓能力較高,并具有出色的熱�(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏電流:150A
導通電阻:2.9mΩ
柵極電荷�125nC
開關時間:ton=47ns, toff=35ns
功耗:85W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
ZXMN6A11G具備以下關鍵特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),可有效減少傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高額定電流支持大功率應用,例如電機控�、DC/DC轉換器及負載切換�
3. 快速開關性能確保在高頻操作下保持高效與穩(wěn)定��
4. 緊湊型TO-220封裝設計,便于散熱管理同時節(jié)省空間�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠�
6. 內置ESD保護功能,增強器件對靜電放電的抵御能��
ZXMN6A11G廣泛應用于以下領域:
1. 汽車電子 - 包括啟動馬達控制、繼電器替代以及電池管理系統(tǒng)�
2. 工業(yè)自動� - 如伺服驅動器、逆變器和不間斷電�(UPS)�
3. 消費類電子產� - 例如筆記本電腦適配器、游戲機電源模塊�
4. 通信設備 - 數據中心供電單元、基站電源等�
5. 能量回收和再生制動系�(tǒng),其中需要高效功率處��
ZXMN6A09H, ZXMN6A10G