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ZXMN3A04DN8TC 發(fā)布時間 時間�2023/9/25 10:51:07 查看 閱讀�240

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列
FET 型:2 � N 溝道(雙�
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�20 毫歐 @ 12.6A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�6.5A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�1V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�36.8nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �1890pF @ 15V
功率 - 最大:1.25W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOP

zxmn3a04dn8tc推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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zxmn3a04dn8tc�(chǎn)�

zxmn3a04dn8tc參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 12.6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs36.8nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1890pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOP
  • 包裝帶卷 (TR)