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ZXMN2A01E6 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 15:32:14 查看 閱讀�33

ZXMN2A01E6 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機�(qū)動應��
  該芯片的主要特點是其�(yōu)化的 Rds(on) 和柵極電荷特�,使其在高效能開關電源設計中表現(xiàn)出色。此�,其堅固的設計確保了在嚴苛環(huán)境下的可靠運��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�2.3A
  導通電阻(典型值)�45mΩ
  柵極-源極電壓:�20V
  功耗:1.4W
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � 175°C
  封裝類型:SOT-23

特�

ZXMN2A01E6 具有以下關鍵特性:
  1. 極低的導通電�,有助于降低傳導損�,提高效��
  2. 高開關速度,能夠支持高頻開關應用�
  3. 緊湊� SOT-23 封裝,適合空間受限的設計�
  4. 廣泛的工作溫度范�,適應各種工�(yè)和汽車應用場��
  5. �(nèi)置保護功能(如過流限制),提高了系統(tǒng)的可靠��
  6. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要��

應用

該功� MOSFET 主要用于以下領域�
  1. 開關模式電源(SMPS�,包括適配器和充電器�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器,例如降壓或升壓電路�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關�
  4. 電機控制和驅(qū)動電��
  5. 背光�(qū)動和其他便攜式電子設備中的功率管理部��

替代型號

BSS138, SI2302DS, AO3400

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  • 供應�
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