您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng)
登錄 |
免費注冊
ZXMN10A08E6TC
時間�2023/8/11 16:50:34
閱讀�290
概述
制造商:DiodesInc.
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:SingleQuadDrain
晶體管極性:N-Channel
電阻汲極/源極RDS(導通)�0.25Ohms
汲極/源極擊穿電壓�100V
�/源擊穿電壓:+/-20V
漏極連續(xù)電流�1.9A
功率耗散�1.1W
最大工作溫度:+150�
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-23-6
封裝:Reel
最小工作溫度:-55�
StandardPackQty�10000
zxmn10a08e6tc推薦供應�
更多>
- �(chǎn)品型�
- 供應�
- �(shù)�
- 廠商
- 封裝/批號
- 詢價
- ZXMN10A08E6TC
- 深圳市吉銘貿(mào)易有限公�
- 50000
- Diodes Incorporated
- 2020+/MOSFET NCH 100V 1.5A SOT236
-
zxmn10a08e6tc參數(shù)
- 標準包裝10,000
- 類別分離式半導體�(chǎn)�
- 家庭FET - �
- 系列-
- FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 特點邏輯電平門
- 漏極至源極電�(Vdss)100V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.5A
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C250 毫歐 @ 3.2A�10V
- Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
- 閘電�(Qg) @ Vgs7.7nC @ 10V
- 輸入電容 (Ciss) @ Vds405pF @ 50V
- 功率 - 最�1.1W
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼SOT-23-6
- 供應商設備封�SOT-23-6
- 包裝帶卷 (TR)