ZXMC6A09DN8T 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,專為高頻和高效率應用設�。該器件采用先進的封裝技術以�(yōu)化散熱性能,并支持高達 650V 的工作電�。其超低的導通電阻(Rds(on))使其成為開關電源、DC-DC 轉換器以及快充適配器的理想選��
該器件結合了高開關頻率與低損耗的特點,從而顯著提升了系統(tǒng)效率并減小了整體尺寸�
最大額定電壓:650V
導通電阻:9mΩ
連續(xù)漏極電流�12A
柵極電荷�35nC
開關頻率:超� 2MHz
封裝類型:DFN8
1. 基于 GaN 技�,具備超高開關速度和低開關損耗�
2. 極低� Rds(on),在高負載條件下提供卓越的效率表�(xiàn)�
3. 支持高頻率操�,能夠顯著減少無源元件的體積和成本�
4. �(nèi)置過流保護功�,增強系�(tǒng)的可靠��
5. 高熱阻抗設計,確保長時間�(wěn)定運��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設備的需��
1. USB-PD 快充適配器及充電器設��
2. 小型� DC-DC 轉換��
3. 高頻 AC-DC 開關電源�
4. 消費類電子產(chǎn)品中的高效能電源管理模塊�
5. LED 驅動電路中的高性能解決方案�
6. 工業(yè)設備中對效率和空間要求較高的場景�
ZXMC6A12DN8T
ZXMC6A15DP8T
GAN041-650WSA