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ZXMC3A18DN8TA 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 12:07:18 查看 閱讀�11

ZXMC3A18DN8TA 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為開�(guān)和功率管理應(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,從而減少功率損耗并提高效率。其封裝形式� DFN8,適合高密度組裝需�,并廣泛�(yīng)用于消費電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)��
  這款 MOSFET 主要用于需要高效能和小尺寸解決方案的應(yīng)用場�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電源管理模塊等。通過�(yōu)化的芯片�(shè)�,ZXMC3A18DN8TA 在各種工作條件下都能表現(xiàn)出卓越的�(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�4.5A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�7nC
  總功耗:1W
  工作溫度范圍�-55°C � 150°C
  封裝形式:DFN8
  引腳間距�0.65mm

特�

ZXMC3A18DN8TA 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效降低�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,得益于較小的柵極電�,有助于減少開關(guān)損耗�
  3. 高電流承載能�,在額定電流范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能�
  4. 寬工作溫度范圍,能夠在極端環(huán)境下可靠運行�
  5. 小型化封裝(DFN8�,支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自動化生產(chǎn)和高密度電路板設(shè)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

ZXMC3A18DN8TA 廣泛適用于以下領(lǐng)域:
  1. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理系�(tǒng),如智能手機和平板電��
  2. 工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動和逆變器控��
  3. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的信號調(diào)節(jié)和功率轉(zhuǎn)��
  4. 計算機及外設(shè)中的�(fù)載開�(guān)和保護電��
  5. 可穿戴設(shè)備及其他便攜式設(shè)備的電池管理單元�
  6. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路中的核心元件�

替代型號

IRLZ44N, AO3400A, FDMC6670

zxmc3a18dn8ta推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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zxmc3a18dn8ta�(chǎn)�

zxmc3a18dn8ta參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.8A�4.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 5.8A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
  • 功率 - 最�1.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱ZXMC3A18DN8TA-NDZXMC3A18DN8TR