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ZXM66P03N8TC 發(fā)布時間 時間�2023/9/26 17:59:06 查看 閱讀�398

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�

目錄

概述

制造商:DiodesInc.
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:SingleQuadDrainTripleSource
晶體管極性:P-Channel
電阻汲極/源極RDS(導(dǎo)通)�0.035Ohms
汲極/源極擊穿電壓�-30V
�/源擊穿電壓:+/-20V
漏極連續(xù)電流�-7.9A
功率耗散�1.56W
最大工作溫度:+150

安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SO-8
封裝:Reel
最小工作溫度:-55

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zxm66p03n8tc�(chǎn)�

zxm66p03n8tc參數(shù)

  • 制造商Diodes Inc.
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓- 30 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流- 7.9 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.035 Ohms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SO-8
  • 封裝Reel
  • 下降時間16.3 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散1.56 W
  • 上升時間16.3 ns
  • 工廠包裝�(shù)�2500
  • 典型�(guān)閉延遲時�94.6 ns