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ZXM62P03E6TC 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/9/7 17:59:28 查看 閱讀�547

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�

目錄

概述

制造商:DiodesInc.
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:SingleQuadDrain
晶體管極性:P-Channel
電阻汲極/源極RDS(導(dǎo)通)�0.23Ohms
汲極/源極擊穿電壓�-30V
�/源擊穿電壓:+/-12V
漏極連續(xù)電流�1.5A
功率耗散�625mW
最大工作溫度:+150�
安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-23-6
封裝:Reel
最小工作溫度:-55�

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zxm62p03e6tc參數(shù)

  • 制造商Diodes Inc.
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓- 30 V
  • �/源擊穿電�+/- 12 V
  • 漏極連續(xù)電流1.5 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.23 Ohms
  • 配置Single Quad Drain
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOT-23-6
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�6.4 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散625 mW
  • 上升�(shí)�6.4 ns
  • 工廠包裝�(shù)�10000
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�13.9 ns