類別:分離式半導體產(chǎn)�
類別:分離式半導體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�220 毫歐 @ 910mA, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�1.4A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�1V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�4.1nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �150pF @ 25V
功率 - 最大:625mW
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3
包裝:帶� (TR)