類別:分離式半導體產�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列�-
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
類別:分離式半導體產�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列�-
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�14 歐姆 @ 200mA, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�160mA
Id 時的 Vgs(th)(最大)�3.5V @ 1mA
閘電�(Qg) @ Vgs�-
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �50pF @ 18V
功率 - 最大:625mW
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-92-3(標準主體),TO-226
包裝:散�
供應商設備封裝:*