類別:分離式半導體產(chǎn)�
類別:分離式半導體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�80 歐姆 @ 50mA, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�70mA
Id 時的 Vgs(th)(最大)�3.5V @ 1mA
閘電�(Qg) @ Vgs�-
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �50pF @ 25V
功率 - 最大:625mW
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-92-3(標準主體),TO-226
包裝:散�