YFW5N65AF是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等高效率電子電路中。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠在高頻�(yīng)用中提供�(yōu)異的性能�
最大漏源電壓:650V
最大漏極電流:5A
�(dǎo)通電阻:1.2Ω
柵極閾值電壓:2V~4V
輸入電容�700pF
總功耗:38W
工作溫度范圍�-55℃~150�
YFW5N65AF具備高耐壓能力,適合在高壓�(huán)境中使用。其低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)有助于減少功率損�,提高整體效��
此外,該器件的快速開(kāi)�(guān)特性使其非常適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。其封裝形式通常為T(mén)O-220,易于安裝且散熱性能良好�
MOSFET的柵極驅(qū)�(dòng)要求較低,能夠與各種�(qū)�(dòng)電路兼容。同�(shí),它還具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,確保�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行下的性能表現(xiàn)�
YFW5N65AF主要�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及各�(lèi)工業(yè)控制�(shè)備中�
在消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品領(lǐng)域,它可被用于筆記本適配�、LED�(qū)�(dòng)電源等場(chǎng)景�
由于其高耐壓特�,在電動(dòng)汽車(chē)充電�、太�(yáng)能逆變器等新能源相�(guān)�(chǎn)品中也有廣泛�(yīng)用�
IRF540N
STP5NK60Z
FQP18N65C
IXFN50N65B