XRCGB40M000F5A00R0 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于高功率密度和高頻開關(guān)場景。該器件采用了先進的 SiC 技�(shù),具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和出色的熱性能。其�(shè)計旨在提高效率并降低能量損�,適用于工業(yè)電源、電動汽車充電器和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)��
這款 MOSFET 的封裝形式為標準表面貼裝類型,便于自動化生產(chǎn)和焊接,同時具備良好的散熱性能�
型號:XRCGB40M000F5A00R0
最大漏源電� (Vds)�1200 V
最大連續(xù)漏極電流 (Id)�40 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�3.5 mΩ
柵極電荷 (Qg)�90 nC
開關(guān)頻率:高� 100 kHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了在高電流應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損��
2. 快速的開關(guān)速度能夠支持高頻操作,從而減小無源元件的體積和重��
3. 高耐壓能力 (1200V),使其非常適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用�
4. 出色的熱�(wěn)定性允許在極端溫度條件下可靠運��
5. 高效的能量轉(zhuǎn)換減少了整體系統(tǒng)的功�,提升了能效水平�
6. 使用碳化硅材料使得該器件擁有更高的功率密度和更長的使用壽��
XRCGB40M000F5A00R0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)電源�(zhuǎn)換設(shè)備,� UPS 和電機驅(qū)動器�
2. 新能源汽車相�(guān)的充電設(shè)�,包括直流快充樁�
3. 太陽能逆變器以及其他可再生能源�(fā)電系�(tǒng)�
4. 高頻 DC/DC �(zhuǎn)換器� AC/DC 整流模塊�
5. 其他需要高效功率管理的場合,例如航空航天和國防裝備中的電力電子組件�
XRCGB40M000F5B00R0
XRCGB40M000F5C00R0
XRCGB30M000F5A00R0